体系结构 ≯存储阵列:6管 SRAM单元结构。划 存储阵列 分为32行32列(正方 形矩阵)。 23A 行地址》译 1024bit 码 译码电路:行译码 32X32 和列译码。5-32行译 码器输出选择一行。 2-4列译码器选择四组 8列数据之一输入输出。A「列地址)译 A6 外围控制电路数据输入和 控制信号 外围控制电路:预 充电路和数据读写控 制以及灵敏放大器。 数据和地址缓冲器: 可选。 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Page 6 Copyright◎2011-2012 128* 8SRAM
Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习-综合实验 128*8SRAM Page 6 体系结构 存储阵列:6管 SRAM单元结构。划 分为32行32列(正方 形矩阵)。 译码电路:行译码 和列译码。5-32行译 码器输出选择一行。 2-4列译码器选择四组 8列数据之一输入输出。 外围控制电路:预 充电路和数据读写控 制以及灵敏放大器。 数据和地址缓冲器: 可选
芯片结构 ●输入信号 ●A6--A0,7位地址信号 ● WE READ,读写控制信号。高电平写,低电平读 ●PRE,预充控制信号。PRE为低时,电路预充。预充阶段不读不写, 所有地址均无效。可以用来当作片选信号。 数据信号: ●○0-|O7,8位数据输入/输出信号 ●电源:电源和地信号 ●自己可以根据需要,添加额外的控制信号(例如译码电路和灵敏 放大器的控制信号) Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Copyright O 2011-2012 128* 8SRAM
Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习-综合实验 128*8SRAM Page 7 芯片结构 输入信号: A6--A0,7位地址信号 WE_READ,读写控制信号。高电平写,低电平读。 PRE,预充控制信号。PRE为低时,电路预充。预充阶段不读不写, 所有地址均无效。可以用来当作片选信号。 数据信号: I/O0-I/O7,8位数据输入/输出信号 电源:电源和地信号 自己可以根据需要,添加额外的控制信号(例如译码电路和灵敏 放大器的控制信号)
功能和时序描述 ●电路在PRE和 WE READ信号的控制下,进行读写操作 ●读访问时间:地址有效到数据读出的时间 ●写访问时间:地址有效到数据正确写入的时间 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Copyright O 2011-2012 128* 8SRAM
Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习-综合实验 128*8SRAM Page 8 功能和时序描述 电路在PRE和WE_READ信号的控制下,进行读写操作 读访问时间:地址有效到数据读出的时间 写访问时间:地址有效到数据正确写入的时间
实验过程 ●存储单元的电路设计和仿真 ●预充电路的设计仿真 ●灵敏放大器的设计仿真 ●1列存储单元、预充电路和灵敏放大器组成模块电路的仿真 ●行列译码器的电路设计仿真 ●存储器整体电路仿真 ●存储单元的版图设计 ●根据单元版图确定灵敏放大器、预充电路的版图宽度 ●根据阵列高度和宽度确定译码器的版图结构 ●存储器整体的版图设计和验证 _◎在储器版图提取和后仿真 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Copyright O 2011-2012 128* 8SRAM
Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习-综合实验 128*8SRAM 实验过程 存储单元的电路设计和仿真 预充电路的设计仿真 灵敏放大器的设计仿真 1列存储单元、预充电路和灵敏放大器组成模块电路的仿真 行列译码器的电路设计仿真 存储器整体电路仿真 存储单元的版图设计 根据单元版图确定灵敏放大器、预充电路的版图宽度 根据阵列高度和宽度确定译码器的版图结构 存储器整体的版图设计和验证 存储器版图提取和后仿真 Page 9
设计内容 ●电路设计:原理图输入和 spectre仿真 ●版图设计:定制版图设计,使用两层金属。版图布局不要超过2:1 ●版图验证: cadence公司 dracula工具的drc和ls检查 ●设计库:chrt的标准单元库和标准|O库 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Copyright O 2011-2012 128* 8SRAM
Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习-综合实验 128*8SRAM Page 10 设计内容 电路设计:原理图输入和spectre仿真 版图设计:定制版图设计,使用两层金属。版图布局不要超过2:1 版图验证:cadence公司dracula工具的drc和lvs检查 设计库:chrt的标准单元库和标准IO库