3.三极管的三种组态 e e 输入端口 输出端口 出输 e CB CO BJT的三种组态 共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;
11 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态
4.放大作用 lE+△lee lc+△ic VEB+△vEB R B+△i lkQ EE 图03105共基极放大电路 若△v1=20mV使△iE=-1mA,当α=0.98时, 则△ic=a△iE=-0.98mA,△vo=-△icR=098V, 电压放大倍数A △v。0.98V △ν,20mV 12
12 RL e c b 1k 图 03.1.05 共基极放大电路 4. 放大作用 若 vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 49 20mV 0.98V I O V = = = v v A VEE VCC VEB IB IE IC + - vI +vEB vO + - +iE +iC +iB iE = -1 mA， iC = iE = -0.98 mA，vO = -iC•RL = 0.98 V， = 0.98 时
4.放大作用 若△v1=20mV lC+△ic 使△ig=20uA B+△g 设=0.98 lkQ VBE+△vBE|e △iC=B △1 E+△iE BB 0.98mA 图03.1.06共射极放大电路 △vo=-△ic·R1=-0.98V, 电压放大倍数A 0.98V 49 △1 20mv 13
13 + - b c e RL 1k 图 03.1.06 共射极放大电路 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - vI +vBE vO + - +iC +iE +iB vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 49 20mV 0.98V I O V = − − = = v v A iB = 20 uA vO = -iC•RL = -0.98 V， = 0.98 0.98mA 1 B C B = − = = i i i 使 4. 放大作用
412BJT的电流分配与放大原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度,且基区很薄。 2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反 向偏置
14 综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置。 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理
413BJT的特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) iBTfVBE VcE=const (1)当v=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当vc≥V时,vcB=vcE-vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区复合减少,同样的v下l减小,特性曲线右移。 B/HA cE=0VvcE≥1V B C+C 100 bK CE e 60 BE CC BB 00,204060810 共射极放大电路 15
15 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时，vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 4.1.3 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例）