S CTGU Fundamental of Electronic Technology 双极结型三极管及放大电路基础
1 CTGU Fundamental of Electronic Technology
内容 4.1 BJT 42基本共射极放大电路 43放大电路的分析方法 44放大电路静态工作点的稳定问题 45共集电极放大电路和共基极放大 电路 47放大电路的频率响应
2 4.1 BJT 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.7 放大电路的频率响应 4.5 共集电极放大电路和共基极放大 电路
4.1 BJT 411BJT的结构简介 412BJT的电流分配与放大原理 413BJT的特性曲线 414BJT的主要参数
3 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
411BJT的结构简介 发射极 业旦三极管的结构集电极,用C或。它有 表示( 三极管符号 两种类型的三极管
4 4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有 两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号
结构特点: 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低。 NPN型 管芯结构剖面图
5 结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图