1.1.3PN结及其单向导电性 一、PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导 体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN结。 (1-16)
(1-16) 一、PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结。 1.1.3 PN结及其单向导电性
内电场越强，就使漂移 运动越强。 漂移运动 0 P型半导体 W型半导体 内电场E ⊙⊙ ⊕ ⊕ ⊕ 0 oo0o ⊕ ( 0 ⊕ 空间电荷区 扩散的结果是使空间电 也称耗尽层。 荷区逐渐加宽，空间电 扩散运动 荷区越宽。 (1-17)
(1-17) P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 内电场越强，就使漂移 运动越强。 空间电荷区， 也称耗尽层
PV结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区 加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区 加负、N区加正电压。 (1-18)
(1-18) 二、 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区 加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区 加负、N 区加正电压
一、PN结正向偏置 变薄 内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。 + P N 外电场 内电场 R (1-19)
(1-19) － － － － + + + + R E 一、PN 结正向偏置 内电场 外电场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流
二、PN结反向偏置 变厚 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 ⊕i 限，只能形成较小的反 向电流。 P 内电场 外电场 R (1-20)
(1-20) 二、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 P N + _ 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反 向电流。 R E