本征半导体中电流由两部分组成： 1.自由电子移动产生的电流。 2.空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 (1-11)
(1-11) 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流
1.1.2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体)。 P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体)。 (1-12)
(1-12) 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）
一、N型半导 在鑫或储晶体中糁入少量的五价元素碳《或锑) N型半导体中 的载流子是什 么？ 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子)，空穴称为少数载流子（少子）。 (1-13)
(1-13) +4 +4 +5 +4 N 型半导体中 的载流子是什 么？ 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 一、N 型半导 体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）
二、P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 (或铟)，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 空穴大×通 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 (1-14)
(1-14) 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子
三、杂质半导体的示意表示法 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ o ⊙ ⊕ 甲 ⊙⊙⊙ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ P型半导体 N型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等。 (1-15)
(1-15) 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等