第二章 点探测器 结构原理 工作特性 偏置电路 等效电路 应用特点 使用注意事项
光电子发射探测器 真空光电器件是基于外光电效应（光电子发射效应）制成的 光电探测器。 Photoemissive:简称PE探测器
光电管 光电子发射器件 光电倍增管 特点：灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小 探测微弱信号 缺点：结构复杂，工作电压高，体积大 类型：透射型、反射型；真空、充气光电管（增益气体） 结构：阴极是核心，阳极收集电子
2.1光电管 2.1.1光阴极材料及其光谱响应 ·将不同波长的各种辐射信号转化为电信号，均依 赖于光电阴极 ·光电阴极关系到光电器件的各项光电性能 ·光电子从光阴极内部溢出的三个过程： >阴极内部电子吸收光子后，被激发至真空能级 (真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用 费米能级：T=0K时，电子占据的最高能级) >光电子向表面运动时受其它电子碰撞，散射而损失能量 >光电子为最终溢出而克服表面势垒 4
·良好光阴极必备三条件： >阴极表面反射小吸收大 >能量散射损耗小 >光阴极表面势垒低、电子溢出几率大 注意： 金属比半导体的光电发射效率高 但是：(1)金属对光的反射强、吸收弱：(2)电子浓度大、碰撞损耗大 √半导体光阴极：正电子亲和势（经典） 负电子亲和势(NEA,最好)