圳海森特电子科技有限公 整流二极管 稳压二极管 开关二极管
整流二极管 稳压二极管 开关二极管
一、二极管的组成 阳极引线 阳极引线 SiO,保护层 金属丝 N型锗片 铝合金小球 PN结 N型硅 金锑合金 P型硅 阳极引线！ 阴极引线 底座 N型硅 外壳 阴极引线 阴极引线 (a) (b) (c) 点接触型：结面积小， 面接触型：结面积大， 平面型：结面积可小、 结电容小，故结允许 结电容大， 故结允许 可大，小的工作频率 的电流小，最高工作 的电流大，最高工作 高，大的结允许的电 频率高。 频率低。 流大
一 、二极管的组成 点接触型：结面积小， 结电容小，故结允许 的电流小，最高工作 频率高。 面接触型：结面积大， 结电容大，故结允许 的电流大，最高工作 频率低。 平面型：结面积可小、 可大，小的工作频率 高，大的结允许的电 流大
二、二极管的伙安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 i=f(u) \ID D up U BR) 击穿 反向饱 开启 i=Is(elr-1) (常温下U,=26mV) 电压 和电流 电压 温度的 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 电压当量 硅Si 0.5V 0.50.8V 1uA以下 锗Ge 0.1V 0.10.3V 几十uA
二、二极管的伏安特性及电流方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA i f (u) 开启 电压 反向饱 和电流 击穿 i I S (e T 1) ( UT 26mV) 电压 U u 常温下 温度的 电压当量 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性
硅管和锗管的伏安特性曲线对比 正向 死区及死区电压 特性 ip/mA 当外加正向电压较小时， 30 外电场克服不了内电场的作 (1) 20+ 用，正向电流几乎为零，此 开启 10 电压 区域称为死区，对应的电压 -UR80 604020 u/V --00.2 0.40.60.8 称为死区电压或开启电压 (2) Uh(阈值电压、门坎电压) URM 反向 硅管 截止 (3) 管 ig/uA 反向 击穿
硅管和锗管的伏安特性曲线对比 正向 死区及死区电压 特性 当外加正向电压较小时， 外电场克服不了内电场的作 用，正向电流几乎为零，此 区域称为死区，对应的电压 称为死区电压或开启电压 Uth（阈值电压、门坎电压） 反向 截止 反向 击穿
从二极管的伏安特性可以反映出： 1.单向导电性 正向特性为 80℃200 i=Is(er 指数曲线 若正向电压u>U,则i≈Ise U (BR) 若反向电压u>U,则i≈-s on 反向特性为横轴的平行线 2.伏安特性受温度影响 T(C)↑→在电流不变情况下管压降u] →反向饱和电流Is↑，UBRJ 增大1倍/10℃ T(C)↑→正向特性左移，反向特性下移
从二极管的伏安特性可以反映出： 1. 单向导电性 T e T S U u 若正向电压u U ，则i I (e 1) T S U u i I 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为 指数曲线 反向特性为横轴的平行线 增大1倍/10℃ T S 若反向电压u U ，则i I