2三极管的开关等效电路 e 截止状态 饱和导通状态 (2-21)
（2-21） 2.三极管的开关等效电路 b e c 截止状态 c b e 饱和导通状态
3三极管的动态开关特性 A R F u 0.3V cc
（2-22） R1 A R2 F +ucc uA t uF t +ucc 0.3V 3 .三极管的动态开关特性：
DD 二.MOs管的开关特性 D 1.MOs管的基本开关电路 (1)当v= VGS<VGS(th时, G MOS管工作在截止区: 只要负载电阻R远远小于 MOS管的截止内阻Ro则输出电压 DD 其中,vcsm为MOS管的开启电压)
（2-23） 二. MOS管的开关特性 1. MOS管的基本开关电路 vDD vi vo RD D - + G - + S （１）当vi=vGS<vGS(th)时， MOS管工作在截止区： 只要负载电阻RD远远小于 MOS管的截止内阻ROFF ,则输出电压 V0 VDD （其中，vGS(th)为MOS管的开启电压）
(2)当v=vs远大于vsm时, ;ⅤGs MOS管的导通内阻Ro、变得很 DD 小(通常在1KΩ以内),只要 Rp>RoN则开关电路的输出端 D 将为低电平vo,且vo≈0 D G 即输出电压 0 0 0
（2-24） vDD vi vo RD D - + G - + S （２）当vi=vGS远大于vGS(th)时， MOS管的导通内阻RON变得很 小（通常在１K以内），只要 RD>>RON, 则开关电路的输出端 将为低电平vOL,且vOL0 即输出电压 V 0 0
2.MOS管的开关等效电路 G G ON S S 截止状态 饱和导通状态 其中,Ro约在1K以下;C的数值 约为几皮法
（2-25） ２. MOS管的开关等效电路 截止状态 饱和导通状态 D G S ci D G S ci RON 其中，RON约在 １K以下；Ci的数值 约为几皮法