第1章半导体二极管及其应用电路 本章重点内容 PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用 1.1PN结 1.1.1本征半导体 共价键的两 个价电子 价电子 自由电子 (a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图
本章重点内容 l PN结及其单向导电特性 l 半导体二极管的伏安特性曲线 l 二极管在实际中的应用 1.1 PN结 1.1.1 本征半导体 空穴 自由电子 b a c ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 价电子 ＋4 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 第1章 半导体二极管及其应用电路
1.1.2杂质半导体 1.N型半导体 2.P型半导体 士中甲目 。④④ 电子一空穴对 图1.2N型半导体的结构
1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体 磷原子 自由电子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.2 N型半导体的结构
空穴 O O0,e C 电子一空穴对 图1.3P型半导体的结构 3.N结的形成 P区 空间电荷区 GGGG团 内电场 图1.4PN结的形成
空穴 硼原子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.3 P型半导体的结构 3. PN结的形成 内电场 P区 N区 P区 N区 空间电荷区 图1.4 PN结的形成
4.PN结的单向导电特性 (1)PN结的正向导通特性 P 变薄 : 少数心Q○ 电子 ⊙Q QQ⊕i 空穴 (少数) 内电场 外电场 外电场 (a)正向偏置 (b)反向偏置 图1.5PN结的导电特性 (2)PN结的反向截止特性 1.2半导体二极管 121半导体二极管的结构及其在电路中的符号
4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性 R 外电场 IR 内电场 空穴 (多数) 电子 (多数) N P 变薄 P 变 厚 N IR≈0 R 外电场 内电场 电子 (少数) 空穴 (少数) (a) 正向偏置 （b）反向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号
(阳极) 阳极引线 阴极引线 (a)结构 (b)电路符号 (c)实物外形 图1.6二极管结构、符号及外形 1.22半导体二极管的伏安特性 iv/m 锗 A B B 62b40b 0.8 C 图1.7二极管伏安特性曲线
－ 外壳 (阴极) (阳极) P N 阳极引线 阴极引线 VD ＋ － (阴极) （a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形 uv/ V 0 1 5 1 0 5 （μA ） iv/m A A B′ B A′ - 5 I R 0.2 0.4 0.6 0.8 C′ D′ D C - 30 -U（ BR） 锗 硅 图1.7 二极管伏安特性曲线 1.2.2 半导体二极管的伏安特性