第三章场效应管及其放大电路(2) ups = 0, 0 < ucs < UGs(th)UGSP型衬底中的空穴被排0-斥，留下不能移动的负离子AV形成耗尽层。N+N+N型沟道(3) ups = 0, ucs ≥ Ucs(th)P型衬底由于吸引了足够多的电子会在耗尽层和SiO,之间形成可B0移动的表面电荷层一一反型层、N型导电沟道称开启电压Ucs(th) 为开始形成反型层所需的ucs，UGs升高，N沟道变宽。转移特性因为ups=0，所以ip=0
第三章 场效应管及其放大电路 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可 移动的表面电荷层——反型层、N型导电沟道。 (2) uDS = 0，0 < uGS < UGS(th) P 型衬底 B S g d P 型衬底中的空穴被排 斥，留下不能移动的负离子 形成耗尽层。 uGS − − − (3) uDS = 0，uGS ≥ UGS(th) 由于吸引了足够多的电子， N 型沟道 UGS 升高，N沟道变宽。 UGS(th) 为开始形成反型层所需的uGS，称开启电压。 因为 uDS = 0 ，所以 iD = 0。 N+ N+ iD 转移特性
第三章场效应管及其放大电路(4)ups对导电沟道的影响(uGs> UGs(th)a. Ups < uGs - UGs(th) 即 uGD = uGs - Ups > UGS(th)导电沟道呈楔形。漏极形UGS成电流ip，i随ups线性增大分b. Ups= UGs - UGS(th) 即 uGD = UGs(th)N+N+靠近漏极沟道达到临界开夹断区启程度，出现预夹断。P型衬底c. Ups≥ UGs - UGS(th) 即 uGD < UGS(th)B0.由于夹断区的沟道电阻很大，ups 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，i因而基本不变
第三章 场效应管及其放大电路 (4) uDS 对导电沟道的影响 (uGS> UGS(th)) 导电沟道呈楔形。漏极形 成电流 iD ，iD随 uDS线性增大。 靠近漏极沟道达到临界开 启程度，出现预夹断。 由于夹断区的沟道电阻很大，uDS 逐渐增大时，导电 沟道两端电压基本不变，iD因而基本不变。 a. uDS < uGS – UGS(th) 即 uGD = uGS – uDS > UGS(th) P 型衬底 B s g d uGS uDS N+ N+ P 型衬底 B s g d uGS uDS N+ P 型衬底 B S g d uGS uDS N+ N+ P 型衬底 N+ N+ B S g d uGS uDS 夹断区 b. uDS = uGS – UGS(th)即 uGD = UGS(th) c. uDS > uGS – UGS(th)即 uGD < UGS(th) iD
第三章场效应管及其放大电路3.特性曲线(uGs> UGS(th)(1)输出特性曲线I：可变电阻区ip = f(upsuGD = uGs - Ups > UGs(th)uGs=常数ip/mAⅡ： 恒流区预夹断轨迹击穿区UGD=UGS(th)时，预夹断可变恒流区ucs = 6V电阻区UGD<UGS(th)时，若7UGSuGs = 5V不变，则i几乎不变。1ucs = 4V-Ⅱ：击穿区Ucs = 3Vups进一步增大，0ups/N截止区i迅速上升
第三章 场效应管及其放大电路 3. 特性曲线 (1)输出特性曲线 i D = f (uDS ) uGS =常数 预夹断轨迹 恒流区 击穿区 可变 电阻区 iD /mA uDS /V O uGS = 3V uGS = 4V uGS = 5V uGS = 6V Ⅰ：可变电阻区 uGD = uGS – uDS > UGS(th) (uGS > UGS(th)) Ⅱ：恒流区 Ⅲ：击穿区 uGD<UGS(th) 时 ， 若 uGS 不变，则iD几乎不变。 uGD =UGS(th)时，预夹断 uDS进一步增大， 截止区 iD迅速上升