第三章场效应管及其放大电路2.输出特性（漏极特性）i, = f(ups ) Ucs=常数预夹断轨迹UGD= UGS(of)可变电阻区：ip/mAip与ups基本上呈线性UGs=0可变关系，但不同的uGs其电阻区斜率不同。-2击穿区恒流区：又称饱和区4恒流区i几乎与ups无关，6i的值受ucs控制。18击穿区：0[U cs(ofnlups/V反向偏置的PN结被击穿截止区i电流突然增大。U
第三章 场效应管及其放大电路 2. 输出特性（漏极特性） i D = f (uDS ) UGS =常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 击穿区 |UGS(off)| uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O 可变电阻区： uGD= UGS(off) iD 与uDS 基本上呈线性 关系，但不同的uGS 其 斜率不同。 恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关， iD 的值受uGS 控制。 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿， iD 电流突然增大。 恒流区 截止区
第三章场效应管及其放大电路在漏极特性上用作图法求转移特性场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。ip/mAi/mAUDs=常数Ups= 15 V ↑GS=00.50.4-0.4 V-0.8V0.2-1.2 V0.-1.6 V-1.5 -1 -0.5 0uGs/V0510152025upsN结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达107Q以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管
第三章 场效应管及其放大电路 场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏 极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 UDS = 常数 iD/mA −1.5 −1 −0.5 0 uGS /V UDS = 15 V 5 iD/mA uDS 0 /V UGS = 0 −0.4 V −0.8 V −1.2 V −1.6 V 10 15 20 25 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高， 可达 107 以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝 缘栅场效应管。 在漏极特性上用作图法求转移特性
第三章场效应管及其放大电路3.2绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称MOS场效应管特点：输入电阻可达109Q以上增强型N沟道耗尽型类型增强型P沟道耗尽型uGs =0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；uGs=0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管
第三章 场效应管及其放大电路 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半 导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达109 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 uGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； uGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 3.2 绝缘栅型场效应管
第三章场效应管及其放大电路3.2.1N沟道增强型MOS场效应管栅极g1.结构源极S9sio漏极dN+N+符号P型衬底dR衬底引线BaBgCS
第三章 场效应管及其放大电路 3.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ SiO2 源极 S 漏极 d 衬底引线 B 栅极 g 符号 S g d B
第三章场效应管及其放大电路Q?2.工作原理0Sdg绝缘栅场效应管利用 ucs 来控制“感应电荷”的多少，改变N+N+由这些“感应电荷”形成的导电P型衬底沟道的状况，以控制漏极电流i工作原理分析dB(1) ucs = 0S漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何B种极性电压，总是不导电
第三章 场效应管及其放大电路 2. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 uGS 来 控制“感应电荷”的多少，改变 由这些“感应电荷”形成的导电 沟道的状况，以控制漏极电流iD。 工作原理分析 (1)uGS = 0 漏源之间相当于两个背靠 背的 PN 结，无论漏源之间加何 种极性电压，总是不导电。 S B D P 型衬底 N+ N+ B S g d