03C309第3章场效应管及其放大电路3.13结型场效应管3.2绝缘栅型场效应管3.3场效应管的主要参数及特点3.4场效应管放大电路模拟电子技术
第3章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管 3.3 场效应管的主要参数及特点 3.4 场效应管放大电路
第三章场效应管及其放大电路场效应三极管（Field Effect Transistor,FET）简称场效应管，是利用电场效应来控制电流的，只有一种载流子（多数载流子）参与导电，也称单极型三极管，是一种电压控制器件。结型场效应管场效应管分类绝缘栅场效应管单极型器件（一种载流子导电）：输入电阻高；特点工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
第三章 场效应管及其放大电路 场效应三极管（Field Effect Transistor, FET）简 称场效应管，是利用电场效应来控制电流的，只有一种 载流子（多数载流子）参与导电，也称单极型三极管， 是一种电压控制器件。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 成本低
第三章场效应管及其放大电路3.1结型场效应管(JFET)3.1.1结型场效应管的结构N沟道结型场效应管符号0漏极D耗尽层(PN结）OP型区gOS栅极N型沟道PtGD0在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半N导体中多数载流子电子可以导电。N型硅棒os源极
第三章 场效应管及其放大电路 D S G N 符号 N 型 沟 道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P + P + P 型区 耗尽层 (PN 结) 在漏极和源极之间加 上一个正向电压，N 型半 导体中多数载流子电子可 以导电。 3.1.1 结型场效应管的结构 N 沟道结型场效应管 3.1 结型场效应管(JFET)
第三章场效应管及其放大电路3.1.2结型场效应管的工作原理结型场效应管用改变ucs大小来控制漏极电流i的。Do漏极福在栅极和源极之间耗尽层加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，栅极N使沟道本身的电阻值增大型沟道PPG o漏极电流 i减小，反之，漏极i电流将增加。N*耗尽层的宽度改变主要在沟道区。源极os
第三章 场效应管及其放大电路 结型场效应管用改变uGS 大小来控制漏极电流iD的。 G D S N N 型 沟 道 栅极 源极 漏极 P + P + 耗尽层 *在栅极和源极之间 加反向电压，耗尽层会变 宽，导电沟道宽度减小， 使沟道本身的电阻值增大， 漏极电流 iD 减小，反之， 漏极 iD电流将增加。 *耗尽层的宽度改变 主要在沟道区。 3.1.2 结型场效应管的工作原理
第三章场效应管及其放大电路1.uGs对ip的影响：设ups =0，在栅源之间加负电源VGG，改变VGG大小，观察耗尽层的变化，i=0ducs <0gucs=Ucs(off)ucs = 01
第三章 场效应管及其放大电路 1. uGS对iD的影响：设uDS = 0，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小，观察耗尽层的变化。 d s N iD P+ VGG P + g uGS=UGS(off) uGS = 0 uGS < 0 =0