当量比ANO2 HF4.5 102030405060708090100% oHF 1009080706050403020100%HNO3 图45腐蚀速率与成分的关系
图4.5腐蚀速率与成分的关系
下图给出分别用H2O和CH3COOH作为稀释剂的 HF+HNO3,系统腐蚀硅的等腐蚀线(常用的浓酸的 重量百分比是492%HF和695%HNO3) HC2H3O2稀释 H2O稀释 20 30 40 50 50 f330 入60 521 112从70 75.3 s1) wiiJ 70 5040302010 w%稀释
下图给出分别用H2O和CH3COOH作为稀释剂的 HF+ HNO3，系统腐蚀硅的等腐蚀线（常用的浓酸的 重量百分比是49.2%HF和69.5% HNO3）
H2O和CH3COOH作为稀释剂的功能相似,共同特 点 (1)在低HNO3及高HF浓度区(见图46的顶角 区),等腐蚀曲线平行于等HNo浓度线,由于该区 有过量的HF可溶解反应产物so2,所以腐蚀速率受 No3的浓度所控制。 (2)在低HF高HNo3区(见图46的右下角),等 腐蚀线平行于HF浓度线。 (3)当HF:HNo3=1:1,稀释液浓度百分比小于 10%时,随稀释液的增加对腐蚀速率影响较大草原 稀释液从10%~30%,腐蚀速率随秋耕释液的增加呈 减小;稀释液大于30%后,稀释的微小变化会引起 腐蚀速率的很大变化
H2O和CH3COOH作为稀释剂的功能相似，共同特 点： （1）在低HNO3及高HF浓度区（见图4.6的顶角 区），等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线，由于该区 有过量的HF可溶解反应产物SiO2，所以腐蚀速率受 HNO3的浓度所控制。 （2）在低HF高HNO3区（见图4.6的右下角），等 腐蚀线平行于HF浓度线。 （3）当HFHNO3=11，稀释液浓度百分比小于 10%时，随稀释液的增加对腐蚀速率影响较大草原 稀释液从10%30%，腐蚀速率随秋耕释液的增加呈 减小；稀释液大于30%后，稀释的微小变化会引起 腐蚀速率的很大变化
413硅体的各向异性刻蚀 各向异性腐蚀机理为在有些溶液中单晶硅的腐蚀速 率取决于晶体取向,即在某种晶体取向上硅的腐蚀速 率非常快,而在其他方向上腐蚀速率又非常慢。、硅 体的各向异性腐蚀液的种类很多。 最常用的(100)/(111)腐蚀速率比最大的是 KoH腐蚀液。用KoH腐蚀液腐蚀单晶硅晶体其在三 个常用晶面方向上的腐蚀速率情况是(100)> (110)>(111)。(100)/(111)的最大腐蚀 速率可达4001
各向异性腐蚀机理为在有些溶液中单晶硅的腐蚀速 率取决于晶体取向，即在某种晶体取向上硅的腐蚀速 率非常快，而在其他方向上腐蚀速率又非常慢。、硅 体的各向异性腐蚀液的种类很多。 最常用的（100）/（111）腐蚀速率比最大的是 KOH腐蚀液。用KOH腐蚀液腐蚀单晶硅晶体其在三 个常用晶面方向上的腐蚀速率情况是（100）> （110）>（111）。（100）/（111）的最大腐蚀 速率可达4001 4.1.3 硅体的各向异性刻蚀
底面观察 润项价 B 腐蚀停止(P 顶面观察 硅 腐蚀掩膜 顶面孔 薄膜(100面 (111)面 (I1)面 项面 悬柔 (111) 图4.7硅单晶片各向异性腐蚀示意图 皂↓种女
图4.7 硅单晶片各向异性腐蚀示意图