如果在单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的 称为各向同性刻蚀,而腐蚀速率取决于晶体取向的 则称为各向异性腐蚀。在一定的条件下腐蚀具有 定的方向跃居第一,是硅单晶片腐蚀过程中的重要 特征之 (100)面 (111 110面 11
如果在单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的 称为各向同性刻蚀，而腐蚀速率取决于晶体取向的 则称为各向异性腐蚀。在一定的条件下腐蚀具有一 定的方向跃居第一，是硅单晶片腐蚀过程中的重要 特征之一
②4.2硅体的各向同性刻蚀 硅各向同性腐蚀最常用的腐蚀液为HF-HNO3加水或 者乙酸系统(通常称为HNA系统),其腐蚀机理 硝酸硅发生氧化反应生成二氧化硅,然后由HF将 二氧化硅溶解 Si+HNO3+HF=H2SiF6+HNO2+H2O+H2 水和乙酸(CH3COOH)通常作为稀释剂,在HNO3 溶液中,HNO3几乎全部电离,因此H浓度较高,而 CH3COOH是弱酸,电离度较小,它的电离反应为 CH, COOH=CH, COo-+H+
4.1.2 硅体的各向同性刻蚀 硅各向同性腐蚀最常用的腐蚀液为HF-HNO3加水或 者乙酸系统(通常称为HNA系统) ，其腐蚀机理： 硝酸硅发生氧化反应生成二氧化硅，然后由HF将 二氧化硅溶解 Si+HNO3+HF=H2SiF6+HNO2+H2O+H2 水和乙酸（CH3COOH）通常作为稀释剂，在HNO3 溶液中，HNO3几乎全部电离，因此H+浓度较高，而 CH3COOH是弱酸，电离度较小，它的电离反应为 CH3COOH=CH3COO-+H+
温度(C) 50 5.0 04 303.3.23.33,43.53.6 图42表面取向对腐蚀速率的影响与温度的关系
图4.2表面取向对腐蚀速率的影响与温度的关系
温度(°c) 40302010 50 10 有催化 无催化 0250313343363,7 温度1000(K) 图43腐蚀速率与温度的关系(高HF区,无稀释) 自下而上每族曲线对应的配比为:95%HF+5%HNo3 90%HF10%HNO3,85%HF+15HNO3b种域女学
图4.3 腐蚀速率与温度的关系（高HF区，无稀释） 自下而上每族曲线对应的配比为：95%HF+5% HNO3 ， 90%HF+10% HNO3，85%HF+15 HNO3
温度(C) 50403020 10 目寸瞬测盐媒 0.5 0.1 303.13.23.33.43.53.63.7 温度1000T(K 图44腐蚀速率与温度的关系(H2O稀释 65%HF+20%HNo3+15%H2O, 20%HF+60%HNH3+20%H2O
图4.4 腐蚀速率与温度的关系（H2O稀释） 65%HF+20% HNO3+15%H2O， 20%HF+60% HNH3+20%H2O