Wb=Wo- 2Lcos547 其中是腐蚀深度。 一般需要刻蚀制作薄膜时,掩膜开的窗口必须 比膜的尺寸大,其倾斜的角度由几何计算得到 为54.70,而斜坡所占的面积也可计算得到。 多晶硅所需刻蚀的深度为o时,单边斜坡所占 的长度 L=0.71D
一般需要刻蚀制作薄膜时，掩膜开的窗口必须 比膜的尺寸大，其倾斜的角度由几何计算得到 为54.7O，而斜坡所占的面积也可计算得到。 多晶硅所需刻蚀的深度为O时，单边斜坡所占 的长度 L=0.71D Wb=W0 -2Lcos54.7o 其中L是腐蚀深度
1、氢氧化钾的刻蚀机理 硅体的各向异性刻蚀的腐蚀剂基本是碱性溶液, 而氢氧化钾溶液占一半以上,因此氢氧化钾是硅 体的各向异性腐蚀重要的和常用的腐蚀剂。 2、各向异性刻蚀的物理机理 腐蚀(10)面 风一 腐蚀(11) 腐蚀 图48各向异性的物理机理}种域女学
1、氢氧化钾的刻蚀机理 硅体的各向异性刻蚀的腐蚀剂基本是碱性溶液， 而氢氧化钾溶液占一半以上，因此氢氧化钾是硅 体的各向异性腐蚀重要的和常用的腐蚀剂。 2、各向异性刻蚀的物理机理 图4.8 各向异性的物理机理 腐蚀
腐蚀速率 80 75° 60 图49腐蚀速率测试掩膜版 图410腐蚀后的测试图形显示
腐蚀速率 图4.9 腐蚀速率测试掩膜版 图4.10 腐蚀后的测试图形显示
不同KoH浓度和温度情况下,(100)面硅的腐蚀速率 (m/h) KOH 100 浓度 20℃ 40℃ 60℃80℃C 20 1.57 7.09 26.7 863246 30% 1.32 5.98 22.3 79.0 206 40 1.17 5.28 199 64.4 183 50 0.843.77 4.2 459131
不同KOH浓度和温度情况下,(100)面硅的腐蚀速率 （m/h) KOH 浓度 20℃ 40℃ 60℃ 80℃ 100 ℃ 20% 1.57 7.09 26.7 86.3 246 30% 1.32 5.98 22.3 79.0 206 40% 1.17 5.28 19.9 64.4 183 50% 0.84 3.77 14.2 45.9 131
硅体在氢氧化钾溶液中,各向异性腐蚀制作眢 种各样微机械基本结构 croo)si 形者
硅体在氢氧化钾溶液中，各向异性腐蚀制作各 种各样微机械基本结构