14半导体器件 14.1半导体器件的命名方法 1国产半导体器件的命名方法 半导体器件型号由五个部分组成,前三个部分 的符号意义见表1.10所示。第四部分是数字表示 器件的序号,第五部分是用汉语拼音字母表示规 格号
1.4 半导体器件 1.4.1 半导体器件的命名方法 1.国产半导体器件的命名方法 半导体器件型号由五个部分组成，前三个部分 的符号意义见表1.10所示。第四部分是数字表示 器件的序号，第五部分是用汉语拼音字母表示规 格号
息卓▲。急 表1.10半导体器件型号的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 符号 意义 意义 符号 意义 2 二极管 N型,锗材料 普通管 三极管 符ABCDABCDE P型,锗材料 微波管 N型,硅材料 稳压管 P型,硅材料 参量管 PNP型,锗材料 整流器 NPN型,锗材料 整流堆 PNP型,硅材料 PVwCZLSNUK 隧道管 NPN型,硅材料 阻尼管 化合物材料 光电器件 开关管 X低频小功率管(f<3MHzP<1W) G高频小功率管(f3 MHz Pc<W) 低频大功率管(f<3 MHz Pc≥1W) A高频大功率管(f3 MHz Pc21W) T 可控硅整流器 Y|体效应器件 B雪崩管 阶跃恢复管 CS|场效应器件 BT半导体特殊器件 复合管 PN|PN型管 JG 激光器件
表1.10 半导体器件型号的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 3 二极管 三极管 A B C D A B C D E N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G D A T Y B J 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流器 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管（fα< 3MHz, Pc<1W） 高频小功率管（fα≥3MHz,Pc<1W） 低频大功率管（fα<3MHz,Pc≥1W） 高频大功率管（fα≥3MHz,Pc≥1W） 可控硅整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 CS BT FH PIN JG 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件
示例:硅材料NPN型低频大功率三极管: 3 15 三极管NPN型硅材料低频大功率序号规格
示例：硅材料NPN型低频大功率三极管： 3 D D 15 D 三极管 NPN型硅材料 低频大功率 序号 规格
息单映▲。急 2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件型号由五至七部分组成。前五个部分符 号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常由各公司自 行规定。 第一邹分 熟二邹分 第三部分第四部分第五邻分 符号象义符号原义符号 彦义 符号意义符号象义 光电二已在目本APH高频员件数字用两饺A该器件 0或三极 电予工业BPN便频品纬管 以上数B为原型 协会注 字表示c号的改 二圾胬 登记的非cP高频品体 迕日本D迸产品 导件器件D1p低频品件管 电干协E 2三极管或 E|P控制极可控磁 舍登记|F 有三个电 G|控制极可投碳 注肼的 圾的其岂 HX单装品纬管 顺序号 潺件 J|p沟道场效应 3四个电圾 K|泡道场效应斡 的器件 M双自可控碳
2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件型号由五至七部分组成。前五个部分符 号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常由各公司自 行规定
例如:2SC1815为NPN型高频三极管(简称 C1815);2SD8201A为NPN型低频三极管,A表 示改进型
例如： 2SC1815 为 NPN 型 高频 三 极 管 (简 称 C1815)；2SD8201A为NPN型低频三极管，A表 示改进型