P型半导体的结构示意图如图所示：空穴硼原子核P型半导体中：空穴是多数载流子，主要由掺杂形成：电子是少数载流子，由热激发形成
P型半导体的结构示意图如图所示： 硼原子核 空穴 P型半导体中： 空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成
3.1.4杂质半导体3.杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响一些典型的数据如下1T-=300K室温下，本征硅的电子和空穴浓度n =p=1.4×1010/cm3掺杂后N型半导体中的自由电子浓度：n=5×1016/cm3本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm以三个浓度基本上依次相差10%cm3HOME
3. 杂质对半导体导电性的影响 3.1.4 杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响， 一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
本节中的有关概念·本征半导体、杂质半导体·施主杂质、受主杂质·N型半导体、P型半导体·自由电子、空穴·多数载流子、少数载流子endHOME
• 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 • 自由电子、空穴 • N型半导体、P型半导体 • 多数载流子、少数载流子 • 施主杂质、受主杂质 end
3.2PN结的形成及特性3.2.1载流子的漂移与扩散3.2.2PN结的形成3.2.3 PN结的单向导电性3.2.4PN结的反向击穿3.2.5PN结的电容效应HOME
3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。HOME
3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运 动