光刻技术制备的显微防伪标记 尺度单位为5×5m
光刻技术制备的显微防伪标记 尺度单位为55m
光刻流程中的刻蚀 SO2层的刻蚀 土土和L 存在两种刻蚀方法 湿法(化学溶剂法),干法(等离子体法)
光刻流程中的刻蚀 存在两种刻蚀方法： 湿法（化学溶剂法）, 干法（等离子体法） SiO2层的刻蚀
正负性的光 刻胶技术 nane 土+H 光刻胶为对光敏 感的由树脂、光 敏剂、溶剂组成 的有机化合物混 合体(如SU8) NEGATVE RE88 正性光刻胶在暴 光时被分解而易 于被溶去 而负性光刻胶在 暴光时发生交联 而不易于被溶去
正负性的光 刻胶技术 ◼ 光刻胶为对光敏 感的由树脂、光 敏剂、溶剂组成 的有机化合物混 合体(如SU8) ◼ 正性光刻胶在暴 光时被分解而易 于被溶去 ◼ 而负性光刻胶在 暴光时发生交联 而不易于被溶去
以化学溶剂法实现光刻图形时的情况 SiO+6HF=HSIF+2H.O Resist (a) ◆优点:侵蚀过程有很强的选择性 ◆缺点:对SiO2侵蚀为各向同性过程,形成“香槟杯”形剖 面。在侵蚀深度为lμm时,光刻可获得的最小线宽约为 3μum,即在侵蚀深度:线宽比增加时,须采取各向异性的 刻蚀方法——应用等离子体的各种刻蚀方法
以化学溶剂法实现光刻图形时的情况 ◆ 优点：侵蚀过程有很强的选择性 ◆ 缺点：对SiO2侵蚀为各向同性过程, 形成“香槟杯”形剖 面。在侵蚀深度为1m时，光刻可获得的最小线宽约为 3m，即在侵蚀深度：线宽比增加时，须采取各向异性的 刻蚀方法——应用等离子体的各种刻蚀方法
等离子体刻蚀 ■当被刻蚀层的厚度与线宽可以比拟时,需采用干 法刻蚀 ■由于刻蚀过程必须是一个低温的过程,因而要借 助于等离子体的高活性 ■对应于制备薄膜材料的CVD、PVD技术,等离 子体刻蚀也将表现出其主要是化学的、或主要是 物理的过程 ■在某种意义上,等离子体的刻蚀过程是薄膜沉积 过程的逆过程
等离子体刻蚀 ◼ 当被刻蚀层的厚度与线宽可以比拟时，需采用干 法刻蚀 ◼ 由于刻蚀过程必须是一个低温的过程，因而要借 助于等离子体的高活性 ◼ 对应于制备薄膜材料的CVD、 PVD技术，等离 子体刻蚀也将表现出其主要是化学的、或主要是 物理的过程 ◼ 在某种意义上，等离子体的刻蚀过程是薄膜沉积 过程的逆过程