2半导体二极管及其基本电路 21半导体的基本知识 22PN结的形成及特性 23半导体二极管 24二极管基本电路及其分析方法 25特殊二极管 HOv配
2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性
2.1半导体的基本知识 211半导体材料 212半导体的共价键结构 213本征半导体 21.4杂质半导体 HOME
2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体
2.1.1半导体材料 典型的半导体有硅S和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电特点:1、其能力容易受温度、光照等环境因素影响 2、掺杂可以显著提高导电能力 2.1.2半导体的共价键结构 两个电子的共价键 正离子核 HOME
2.1.1 半导体材料 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电特点: 1、其能力容易受温度、光照等环境因素影响 2、掺杂可以显著提高导电能力 2.1.2 半导体的共价键结构
21.3本征半导体 本征半导体一化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 在T=0K和无外界激发时,不导电 本征激发由热激发或光照而产生的自由电子和空穴对。 空穴—共价键中的空位。 空穴的移动空六的运动是 靠相邻共价键中的价电子依次充 填空穴来实现的。 图213由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对 HOME BACK NEXT
2.1.3 本征半导体 本征半导体—化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 在T=0K和无外界激发时，不导电 本征激发 空穴——共价键中的空位。 由热激发或光照而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是 靠相邻共价键中的价电子依次充 填空穴来实现的
空穴的移动—空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空六来实 现的。 ::● b :::● ●:◎::◎ 半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度个→导电能力个
空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实 现的。 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑