3半导体三极管及放大电路基础 31半导体三极管(BJT) 32共射极放大电路 33图解分析法 34小信号模型分析法 35放大电路的工作点稳定问题 3.6共集电极电路和共基极电路 37放大电路的频率响应 HO配E
1 3 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应
3,1半导体三极管(BT)x 311BJT的结构简介 312BJT的电流分配与放大原理 313BJT的特性曲线 314BJT的主要参数 图3.11几种BJT的外形 HOME 2
2 图3.1.1 几种BJT的外形 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
311BJT的结构简介 1、结构和符号 2、工作原理 由结构展开联想 集电极 NPN PNP!3、实现条件 Collector 集电结(Jc) 外部条件一内部条件 基极 Jc反偏结构特点 N 集电区 Base 收集载流子(电子)掺杂浓度低于发射区 b[Po→基 且面积大 复合部分电子 掺杂浓度远低于发射区 控制传送比例且很薄 发射区 发射载流子(电子)掺杂浓度最高 发射极 Emitter ∫e(发射结()Je正偏 BACKNEXT
3 3.1.1 BJT的结构简介 N P N N P N c b e 基区 发射区 集电区 发射极 Emitter 集电极 Collector 基极 Base 1、结构和符号 发射结(Je) 集电结(Jc) c b PNP e c b NPN e 发射载流子(电子) 收集载流子(电子) 复合部分电子 控制传送比例 由结构展开联想… 2、工作原理 3、实现条件 外部条件 内部条件 结构特点： Je正偏 Jc反偏 掺杂浓度最高 掺杂浓度低于发射区 且面积大 掺杂浓度远低于发射区 且很薄
312BJT的电流分配与放大原理 1.内部载流子的传输过程 发射区:2.电流分配关系 发射 载流子 3.放大作用 基区:传4.三极管的三种组态 送和控制5.共射极连接方式 载流子 集电区: 收集 载流子 本质: 电流分配外部条件:发射结正偏集电结反编國
4 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 2. 电流分配关系 4. 三极管的三种组态 3. 放大作用 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 发射区： 发射 载流子 基区：传 送和控制 载流子 集电区： 收集 载流子 本质： 电流分配 5. 共射极连接方式
312BJT的电流分配 与放大原理 C 1.内部载流子的传输过程 仨极管的放大作用是通过载流子 BI 传输体现出来的。 本质:电流分配关系 °=4-B0°bIl+ao ↑1 外部条件 发射结正偏,集电结反偏。 =+L 放大作用?4+△ +△in!i C (原理) EB △ l△i R 关键: q△n +△iB △ic与△的关系 LE_放大电路
5 3.1.2 BJT的电流分配 与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是通过载流子 传输体现出来的。 本质：电流分配关系 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 RL e c b 1k VEE VCC IB IE IC VEB+vEB 放大电路 +iE i i + - vI +iC +iB vO + - i 放大作用？ o （原理） 关键： iC与iE的关系