2.1.4杂质半导体 P型半导体 N型半导体 掺入三价杂质元素(如硼) 掺入五价杂质元素(如磷) 4 受主原子 4。(+3x4 +4 +5 施主正离子 +4) 图215P型干导体的共价结构 图216N型半导体的共价键结构 空穴 多子一它主要由杂质原子提供→自由电子 多子 自由电子=少子 由热激发形成 空穴 少子 空间电荷
2.1.4 杂质半导体 N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷） P型半导体 掺入三价杂质元素（如硼） 自由电子 ＝ 多子 空穴 ＝ 少子 空穴 ＝ 多子 自由电子＝ 少子 由热激发形成 它主要由杂质原子提供 空间电荷
3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大 的影响,一些典型的数据如下: ①7=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p=1.4×1010/cm3 ②掺杂后N型半导体中的自由电子浓度 n=5×1016/cm3 ③本征硅的原子浓度:4.96×1022cm3 以上三个浓度基本上依次相差106cm3 HOME BACK NEXT
掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022 3 /cm3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 3. 杂质对半导体导电性的影响
本节中的有关概念 本征半导体、本征激发厂自由电子 复合 空穴 半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力个 杂质半导体N型半导体、施主杂质5价) P型半导体、受主杂质(3价) 半导体导电特点2:掺杂可以显著提高导电能力 多数载流子、少数载流子 end HOiv配 BACK
• 本征半导体、本征激发 本节中的有关概念 end 自由电子 空穴 N型半导体、施主杂质(5价) P型半导体、受主杂质(3价) • 多数载流子、少数载流子 •杂质半导体 复合 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ *半导体导电特点2：掺杂可以显著提高导电能力