本节中的有关概念 ·本征半导体、杂质半导体 ·施主杂质、受主杂质 ·N型半导体、P型半导体 ·自由电子、空穴 ·多数载流子、少数载流子 1北医学院生物医学工程 end
• 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 • 自由电子、空穴 • N型半导体、P型半导体 • 多数载流子、少数载流子 • 施主杂质、受主杂质 end
3.2PN结的形成及特性 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.2PN结的形成 3.2.3PN结的单向导电性 3.2.4PN结的反向击穿 3.2.5PN结的电容效应 比医学院生物医学工程
3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
2.2.1PN结的形成 说 ·扩散运动 ·漂移运动 自由电子与 空穴复合 P区 N区 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 1北医学院生物医学工程 HOME BACK NEXT
13 2.2.1 PN结的形成 • 扩散运动 • 漂移运动 • 自由电子与 空穴复合 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动
3.2.2PN结的形成 一P型区 空间电荷区 一N型区 o ⊕ ⊕ e O⊕ ⊕ OO⊕ ⊕ 白O⊕ ⊕ 内电场E 1 电位 势垒电位 0 1北医学院生物医学工程
3.2.2 PN结的形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质， 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程： 因浓度差 多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 ↓ 空间电荷区形成内电场 ↓ 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 北医学院生物医学工程
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区