第1章半导体二极管及其应用电路1.2PN结的形成及特性在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结PN结NP④④④④00④④④④0.0.00000田④田
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体， 另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形 成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P PN结 N 1.2 PN结的形成及特性
e第1章半导体二极管及其应用电路。1.2.1 PN 结的形成耗尽层空间电荷区NO田田+一+OOOD田田田0?田田内电场多子扩散运动→复合消失→空间电荷区（耗尽层）阻止多子扩散→内电场动态平衡，形成PN结告有利少子漂移
1.2.1 PN 结的形成 耗尽层 P 空间电荷区 N 多子扩散运动 复合消失 空间电荷区（耗尽层） 内电场 内电场 阻止多子扩散 动态平衡，形成PN结 有利少子漂移
第1章半导体二极管及其应用电路1.2.2 PN 结的单向导电性空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有1、加正向电压较大的正向电流空间电荷区NP1G七+十内电场外电场R
1.2.2 PN 结的单向导电性 外电场 内电场 空间电荷区 V R I 空间电荷区变窄，有利 于扩散运动，电路中有 较大的正向电流。 P N 1 、加正向电压
第1章半导体二极管及其应用电路2、加反向电压空间电荷区N++G!+内电场外电场R少子形成反向电流。当其不再随外电压增大时，称为反向饱和电流Is将增大（Is）。Is很小，随温度升高
2、加反向电压 空间电荷区 少子形成反向电流。当其不再随外电压增大时，称为反 向饱和电流（IS）。IS很小，随温度升高，IS 将增大。 P N 外电场 内电场 V R IS
第1章半导体二极管及其应用电路由上可见：当PN结正向偏置时，呈现低电阻，回路中将产生较大的正向扩散电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，呈现高电阻，回路中的反向漂移电流非常小，几乎为零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性
由上可见： 当PN结正向偏置时，呈现低电阻，回路中将产生 较大的正向扩散电流， PN 结处于 导通状态； 当PN结反向偏置时，呈现高电阻，回路中的反向 漂移电流非常小，几乎为零， PN 结处于截止状态。 可见， PN 结具有单向导电性