第1章半导体二极管及其应用电路N型半导体杂质半导体P型半导体1.1.2 N型半导体(电子型半导体)在硅或锗的晶体中掺入少量的+5价杂质元素如磷、锑、砷等。杂质原子最外层5个价电子
杂质半导体 N 型半导体 P 型半导体 1.1.2 N型半导体 (电子型半导体) 在硅或锗的晶体中掺入少量的 + 5 价杂质元素， 如磷、锑、砷等。 杂质原子最外层5个价电子
e第1章半导体二极管及其应用电路多余一个电子只半导体主要靠自由电子导电。受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。自由电子自由电子浓度远大于空穴的浓度，即4n>>p 施主原子自由电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。N型半导体
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 自由电子 施主原子 N 型半导体 多余一个电子只 受自身原子核吸引， 在室温下即可成为自 由电子。 自由电子浓度远 大于空穴的浓度，即 n >> p 。 自由电子称为多数载 流子(简称多子)，空 穴称为少数载流子 (简称少子)。 半导体主要靠自由电子导电
第1章半导体二极管及其应用电路1.1.3P型半导体(空穴型半导体)在硅或锗的晶体半导体主要靠空穴导电。中掺入少量的十3价杂质元素，如硼、镓、-4+4铟等。空穴3空穴浓度大于自由电子浓度，即受主原子p >> n。空穴为多子，自由电子为少子。P型半导体
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗的晶体 中掺入少量的 ＋3 价 杂质元素，如硼、镓、 铟等。 +3 空穴浓度大于 自由电子浓度，即 p >> n。 空穴为多子， P 型半导体 自由电子为少子。 1.1.3 P 型半导体(空穴型半导体) 半导体主要靠空穴导电。 空穴 受主原子
e第1章半导体二极管及其应用电路。1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度：温度决定少数载流子的浓度。2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善3.杂质半导体的表示方法田田田①0D①田田田-(b）P型半导体(a)N型半导体
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体的表示方法： 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体
第1章半导体二极管及其应用电路练习：a1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。b2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3．当温度升高时，少子的数量C（a.减少、b.不变、c.增多）。4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流a主要是_b，N型半导体中的电流主要是(a.电子电流、b.空穴电流）
1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 练习：