MOSFET结构沟道宽度G多晶硅0氧化层So+WLdrawnp型衬底4LD沟道长度形成反型层，产生沟道，S和D导通PMOS晶体管的原理与此相同，只是晶体管导通所需的栅电压为负值。西安交通大学微电子学系Chap2 P, 17
微电子学系 Chap2 P. 17 MOSFET结构 沟道长度 W 沟道宽度 形成反型层，产生 沟道，S和D导通 PMOS晶体管的原理与此相同，只是晶体管导通所需的栅电压为负值
NMOS和PMOSn型衬底(a)GGSDSBP型衬底(b)西安交通大学微电子学系Chap2 P.18
微电子学系 Chap2 P. 18 NMOS和PMOS
CMOS结构（实际物理结构）p-channeltransistorn-channel transistorPolysiliconSiOn吉Well tieSubstratereietieFOXn-wellp"substrate西安交通大泽微电子学系Chap2 P.19
微电子学系 Chap2 P. 19 CMOS结构（实际物理结构）
MOS晶体管符号NMOSPMOSNMOSPMOSNMOSPMOSssDDDDGo--0B40BGoCsDDsss(b)(a)(c)西安交通大学微电子学系Chap2 P.20
微电子学系 Chap2 P. 20 MOS晶体管符号
NMOS晶体管开关模型GateI VGslDrainSourceClosed(on)(Gate=“1)Open(off)(Gate=‘0")Ron-I VG-Vs/</ V-I/Vg - Vs I >/ V-I西安交通大泽微电子学系Chap2 P.21
微电子学系 Chap2 P. 21 NMOS晶体管开关模型 Gate Source Drain | VGS | | VG - VS | < | VT | |VG - VS | > | VT | Open (off) (Gate = ‘0’) Closed (on) (Gate = ‘1’) Ron