MOSFET结构MOSFET:Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor也叫：绝缘栅场效应晶体管（InsulatedGate.IGFET）金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）电压控制电流器件一>场效应晶体管沟道宽度B栅电极SiO2nn大沟道漏极源极栅极氧化膜沟道长度p型硅衬底十VBS（衬底偏压）西安交通大学微电子学系Chap2 P, 12
微电子学系 Chap2 P. 12 MOSFET结构 MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 也叫：绝缘栅场效应晶体管（Insulated Gate, IGFET） 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET) 电压控制电流器件—>场效应晶体管
（NMOS为例）MOSEET工作原理半导体表面场效应1.P型半导体OOCOOCOOCC?OOO福图1P型半导体西安交通大学微电子学系Chap2 P.13
微电子学系 Chap2 P. 13 MOSFET工作原理（NMOS为例） 半导体表面场效应 1. P型半导体 图1 P型半导体
2、表面电荷减少(施加正电压)MOS图2表面电荷减少西安交通大泽微电子学系Chap2 P.14
微电子学系 Chap2 P. 14 2、表面电荷减少(施加正电压) 图 2 表面电荷减少 M O S
3、形成耗尽层（继续增大正电压）M0S耗尽层（高阻区）图3形成耗尽层西安交通大泽微电子学系Chap2 P.15
微电子学系 Chap2 P. 15 3、形成耗尽层（继续增大正电压） 图 3 形成耗尽层 耗尽层 （高阻区） M O S
4、形成反型层（电压超过一定值Vt时）M0S增大电压反型层电子图4形成反型层表面场效应形成反型层（MOS电容结构）西安交通大学微电子学系Chap2 P.16
微电子学系 Chap2 P. 16 4、形成反型层（电压超过一定值Vt时） 图 4 形成反型层 反型层电子 表面场效应形成反型层（MOS电容结构） 增大电压 M O S