PMOS晶体管开关模型GateI VGSSourceDrainClosed (on)(Gate=‘0")Open(off)（Gate=“1)Ron/ VG/</ Vs-IV-l II VG/>/Vs-/V-II西安交通大泽微电子学系Chap2 P.22
微电子学系 Chap2 P. 22 PMOS晶体管开关模型 Gate Source Drain | VGS | | VG | > | VS – | VT | | | VG | < | VS – |VT| | Open (off) (Gate = ‘1’) Closed (on) (Gate = ‘0’) Ron
CMOS反相器电路结构VDDVOUTVDDMp-0VoutCSpSnMnVinoCIRp大海水（电荷）、水流（电流）、水面（电压）GND管子粗细（电导）、水桶容器（CL）西安交通大学微电子学系Chap2 P.23
微电子学系 Chap2 P. 23 CL CMOS反相器电路结构
集成电路制造工艺集成电路是经过很多道工序（超过200道)制成的。其中最基础的工艺有：口生产所需类型衬底的硅圆片工艺口确定加工区域的光刻工艺；口向芯片中增加材料的氧化、淀积、扩散和离子注入工艺;口去除芯片上的材料的刻蚀工艺集成电路的制造就是由这些基础工艺的不同组合构成的。西安交通大学微电子学系Chap2 P.24
微电子学系 Chap2 P. 24 集成电路制造工艺 集成电路是经过很多道工序(超过200道)制成 的。其中最基础的工艺有： 生产所需类型衬底的硅圆片工艺； 确定加工区域的光刻工艺； 向芯片中增加材料的氧化、淀积、扩散和离子注入 工艺； 去除芯片上的材料的刻蚀工艺。 集成电路的制造就是由这些基础工艺的不同组 合构成的
1.硅圆片(Wafer)工艺制造只含有极少“缺陷"的单晶硅衬底圆片。Puller“切克劳斯基法"：将一块称为籽晶的单晶硅浸入熔融硅中，Seed然后在旋转籽晶的同时缓慢地CrystalViewport把其从熔融硅中拉起。结果，Encapsulant就形成圆柱形的大单晶棒。HeaterMelt生长时，可在熔融硅中掺入杂质来获得期望的电阻率。“切克劳斯基法”生长单晶硅西安交通大泽微电子学系Chap2 P. 25
微电子学系 Chap2 P. 25 1. 硅圆片(Wafer)工艺 制造只含有极少“缺陷”的单晶 硅衬底圆片。 “切克劳斯基法”生长单晶硅 “切克劳斯基法”：将一块称为 籽晶的单晶硅浸入熔融硅中， 然后在旋转籽晶的同时缓慢地 把其从熔融硅中拉起。结果， 就形成圆柱形的大单晶棒。 生长时，可在熔融硅中掺入杂 质来获得期望的电阻率
200mm商用直拉单晶硅在大多数CMOS工艺中，圆片的电阻率为0.05到0.1Q?cm，厚度约为500到1000微米。加工过电路的硅圆片300mmWafer西安交通大学微电子学系Chap2 P.26
微电子学系 Chap2 P. 26 200mm商用直拉单晶硅 加工过电路的硅圆片 在大多数CMOS工艺中，圆片的电 阻率为0.05到0.1Ω•cm，厚度约为 500到1000微米