主要内容 MOS晶体管模型 □MOS器件结构 阈值电压 MOS晶体管大信号特性 MOS器件寄生电容 □MOS晶体管小信号模型 CMOS模拟电路基本模块 单级CMOS放大器 运算放大器 西安交通大浮微电子学系 2
2008-3-19 微电子学系 2 主要内容 MOS晶体管模型 MOS器件结构 阈值电压 MOS晶体管大信号特性 MOS器件寄生电容 MOS晶体管小信号模型 CMOS模拟电路基本模块 单级CMOS放大器 运算放大器
3.1.1MOSFET晶体管结构DG多晶硅氧化层so010NN+LeffLdrawnLDP型衬底西安交通大泽微电子学系1
2008-3-19 微电子学系 3 3.1.1 MOSFET晶体管结构
NMOS and PMOS with n-welln型衬底(a)GSDP型衬底(b)图3.2（a）简单PMOS器件（b）n阱中的PMOS西安交通大学微电子学系
2008-3-19 微电子学系 4 图3.2 （a）简单PMOS器件 （b）n阱中的PMOS NMOS and PMOS with n-well
MOS SymbolsNMOSPMOSNMOSPMOSNMOSPMOSDSDDDSo09090Go-OBGO-OBGoOS0oSosODosD(c)(a)(b)MOS符号西安交通大学微电子学系5
2008-3-19 微电子学系 5 MOS符号 MOS Symbols
增强型NMOSGateelectrode/GSTInducedn-typeODSG10)channel+?p-typesubstrateDepletionregionBTheenhancement-typeNMoswithapositivevoltage applied to thegate.Ann channelisinducedatthe top of the substrate beneath the gate.西安交通大浮微电子学系
2008-3-19 微电子学系 6 增强型NMOS