Forward-bias currentdominatedbyminoritycarrierinjectionReverse current dueto drift current inthedepletion region正向偏置的PN结，电流随电压的增加而迅速增加。反向偏置的PN结，电流很小基本可以忽略不计。西安交通大泽微电子学系Chap2 P.7
微电子学系 Chap2 P. 7 正向偏置的PN结，电流随电压的增加而迅速增加。反 向偏置的PN 结，电流很小基本可以忽略不计
PN结寄生电容(1)扩散电容：扩散区中电荷随外加电压的变化所产生的电容效应称为PN结的扩散电容势垒电容：势垒区的电荷随外加偏压变化所引起的电容效应称为势垒电容。势垒电容产生的机理：当外加电压有△V的变化时，耗尽区宽度会发生变化，使耗尽区的空间电荷出现△Q变化。AQ-A -QQPNXmAxAx,西安交通大学微电子学系Chap2 P. 8
微电子学系 Chap2 P. 8 PN结寄生电容(1) 扩散电容：扩散区中电荷随外加电压的变化所产生的 电容效应称为PN结的扩散电容 势垒电容：势垒区的电荷随外加偏压变化所引起的电 容效应称为势垒电容。 势垒电容产生的机理：当外加电压有 △V 的变化时，耗尽 区宽度会发生变化 ，使耗尽区的空间电荷出现△Q变化。 P N − Q Q mx − ΔQ ΔQ n Δx Δxp
PN结寄生电容(2)PN结电容包括势垒电容和扩散电容，它们都是结电压的函数，其相对重要性强烈依赖于结电压。■在反向偏置时，扩散电容可以忽略，PN结在功能上等效为一个势垒电容。在正向偏置下，扩散电容占主导地位，PN结等效为一个扩散电导和扩散电容的并联西安交通大学微电子学系Chap2 P. 9
微电子学系 Chap2 P. 9 PN结寄生电容(2) PN结电容包括势垒电容和扩散电容，它们都 是结电压的函数，其相对重要性强烈依赖于结 电压。 在反向偏置时，扩散电容可以忽略，PN结在 功能上等效为一个势垒电容。 在正向偏置下，扩散电容占主导地位，PN结 等效为一个扩散电导和扩散电容的并联
150125Vg = 0.7Vn p junction000000A=3.72×10- cm2100N^=8.8×10l5cm-375C(pF)-Cjo =120pF50-?0000000000000025V11So-50-20-15-10-25V(V)1N5472突变结二极管势垒电容随反偏电压的测量结果西安交通大学微电子学系Chap2 P, 10
微电子学系 Chap2 P. 10 V(V ) 1N5472突变结二极管 势垒电容随反偏电压的测量结果 n p junction + 3 2 A 3.72 10 cm − = × 15 3 8.8 10 − NA = × cm Cj0 =120 pF Vbj = 0.7V
10-1010C-VDate8ee2-0.00.20.40.6Voltage(V)1N5472突变结二极管正偏时电容的测量结果西安交通大学微电子学系Chap2 P. 11
微电子学系 Chap2 P. 11 1N5472突变结二极管 正偏时电容的测量结果