0.75mm 空间电荷区 P型区“075m+N型区 空6eeG曲 穴 自由电子 e:O⊕⊕带正电 带负电的分G⊕⊕ -的杂质 杂质离子。°0 离子 丙电 电场 PN结的形成
P型区 N型区 PN结的形成 空 穴 带负电的 杂质离子 自由电子 带正电 的杂质 离子 0.75μm 空间电荷区 0.75mm 内电场
02.PN结的单向导电性 0(1)外加正向电压 N结上外加正向电压,即的正极接P区, 负极接N区,外加电场与N结内电场方向相反。结果 使PN结变窄。正向偏置的PN结表现为一个很小的电 空间电荷区变窄 内电场 P型区 N型区 Oe○⊕⊕⊕⊕⊕ e⊕⊕ F 外电场 R
• 2．PN结的单向导电性 • (1)外加正向电压 • 在PN结上外加正向电压UF ，即UF的正极接P区， 负极接N区，外加电场与PN结内电场方向相反。结果 使PN结变窄。正向偏置的PN结表现为一个很小的电 阻。 图2-1-6 外加正向电压的PN结 P型区 N型区 空间电荷区变窄 + - UF R IF 内电场 外电场
(2)外加反向电压 在PN结上外加反向电压,即的正端接N区,负 端接P区,外加电场与N结内电场方向相同,使阻挡 层厚度加宽,这时N结处于反向偏置。可认为基本 上是不导电的,表现为一个很大的电阻。 空间电荷区变宽 内电场 P型区 N型区 eeee⊕⊕⊕⊕ eQ⊕⊕⊕⊕,⊕ 外电场 R
• (2)外加反向电压 • 在PN结上外加反向电压UR ，即UR的正端接N区，负 端接P区，外加电场与PN结内电场方向相同，使阻挡 层厚度加宽，这时PN结处于反向偏置。可认为基本 上是不导电的，表现为一个很大的电阻。 图 2-1-7 外加反向电压的PN结 P型区 N型区 空间电荷区变宽 - + UR R IR 内电场 外电场
结论 N结正向偏置时,正向电阻很小, 形成较大的正向电流;PN结反向偏置时 呈现较大的反向电阻,反向电流很小, 这就是PN结的单向导电性。即PN结在外 加电压作用下具有“正向导通、反向截 止”的特性
• 结论： PN结正向偏置时，正向电阻很小， 形成较大的正向电流；PN结反向偏置时， 呈现较大的反向电阻，反向电流很小， 这就是PN结的单向导电性。即PN结在外 加电压作用下具有“正向导通、反向截 止”的特性
Z2半导体二极管 7.2.1二极管结构 7.2.2二极管的伏安特性 7.2.3二极管的类型和参数 7.2.4特殊二极管
t Q 7.2.1 二极管结构 7.2.2 二极管的伏安特性 7.2.3 二极管的类型和参数 7.2.4 特殊二极管 7.2 半导体二极管