2P型半导体 在本征半导体中掺 入少量的三价元素 硅 使每一个三价元素 原(+4 4 空 穴 取代一个四价元素 在晶体中的位置, 硼 产生了多余的空穴,原(+3 +4 形成P型半导体,也 一称空穴型半导体 在P型半导体中以空 穴导电为主。 P型硅半导体的共价键结构
2. P型半导体 在本征半导体中掺 入少量的三价元素， 使每一个三价元素 取代一个四价元素 在晶体中的位置， 产生了多余的空穴, 形成P型半导体 ,也 称空穴型半导体。 在P型半导体中以空 穴导电为主。 +4 +3 +4 +4 空 穴 硼 原 子 硅 原 子 P型硅半导体的共价键结构
结论:在掺入杂质后,载流子的数目都有相 当程度的增加。掺入百万分之一的杂质,载 沉子浓度将增加一百万倍。因此,在半导体 内掺入微量的杂质,是提高半导体导电能力 最有效的方法
• 结论: 在掺入杂质后，载流子的数目都有相 当程度的增加。掺入百万分之一的杂质，载 流子浓度将增加一百万倍。因此，在半导体 内掺入微量的杂质，是提高半导体导电能力 最有效的方法
Z1.3PN结 PN结 )在一块本征半导体上,通过掺杂使一侧 形成P型半导体,另一侧形成N型半导体, 则在两种半导体交界面上形成一个很薄 的空间电荷区,叫做PN结。PN结是构成 各种半导体器件的基础,了解PN结的性 质对掌握半导体器件的原理是非常重要 的
7.1.3 PN结 PN结 • 在一块本征半导体上，通过掺杂使一侧 形成P 型半导体，另一侧形成N型半导体， 则在两种半导体交界面上形成一个很薄 的空间电荷区，叫做PN结。PN结是构成 各种半导体器件的基础，了解PN结的性 质对掌握半导体器件的原理是非常重要 的
01PN结的形成 当P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界 处就出现了电子和空穴的浓度差,这样,电子和空 穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。因此 有一些电子要从N型区向P型区扩散,同时也有一些 卒穴要从P型区向N型区扩散,如图示。 P型 N型 空穴 自由电子 分·e⊕⊕⊕ 带正电的 带负电的○⊕⊕⊕“杂质离子 杂质离子 载流子的扩散
• 1. PN结的形成 • 当P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界 处就出现了电子和空穴的浓度差，这样，电子和空 穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。因此 有一些电子要从N型区向P型区扩散，同时也有一些 空穴要从P型区向N型区扩散，如图示。 P型 N型 自由电子 带正电的 杂质离子 空穴 带负电的 杂质离子 载流子的扩散
扩散到P区的电子与空穴复合,扩散到N区的空穴 与电子复合,随着扩散的进行,在交界面附近的P 型区中空穴数大量减少,出现了带负电的离子区; 而在N型区一侧因缺少电子,显露出带正电的离子 区。半导体中的离子虽然也带电,但由于物质结构 的关系,它们不能任意移动,因此并不参与导电 这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们 在交界面上形成一个很薄的空间电荷区,称为PN结 在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉 了,或者说消耗尽了,因此该电荷区又叫做耗尽层
• 扩散到P区的电子与空穴复合，扩散到N区的空穴 与电子复合，随着扩散的进行，在交界面附近的P 型区中空穴数大量减少，出现了带负电的离子区； 而在N型区一侧因缺少电子，显露出带正电的离子 区。半导体中的离子虽然也带电，但由于物质结构 的关系，它们不能任意移动，因此并不参与导电。 这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们 在交界面上形成一个很薄的空间电荷区，称为PN结。 在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉 了，或者说消耗尽了，因此该电荷区又叫做耗尽层