322晶体管的高频参数 (1)截止频率J: 共发电路的电流放大系数β值下降至低频值0的2时的 频率称为β截止频率,用JG表示。 (2)特征频率fn:指=1时的频率 特征频率∫是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益 的最高频率极限。 特征频率是高于截止频率,约等于fB的倍。 特征频率f与阻容乘积r(Cbe+Cb)成反比,后者又决 定于晶体管的静态工作点,因此,fr也是静态工作点的 函数。 当f>D时,存在近似关系=。2mC 特征频率∫是可查手册的,也可由仪器测量得到
6 3.2.2 晶体管的高频参数 （1）截止频率 f ： 共发电路的电流放大系数值下降至低频值 的 时的 频率称为截止频率，用 表示。 0 2 1 f （2）特征频率 f T ：指 =1时的频率。 特征频率 是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益 的最高频率极限。 T f 特征频率 f T 是高于截止频率 f , 约等于 f 的 0 倍。 特征频率 与阻容乘积 成反比，后者又决 定于晶体管的静态工作点，因此， 也是静态工作点的 函数。 T f ( ) e Cb'e Cb'c r + T f b e m T C g f 2 ' 当 f f 时，存在近似关系 。 f f T = 特征频率 f T 是可查手册的，也可由仪器测量得到
(3)最高振荡频率fm: 晶体管的功率增益Gp=1时的工作频率称为最高振 荡频率f∫mx fm最高,fn次之,B最低。 max 2T14rBs chec (4)O截止频率f,和fn的关系: C 晶体管的共基极电流放大系数是C: 1+ f 其中co是低频时共基极短路电流放大系数 fn是风下降到0/2时的频率。可推出: T 因为a0<1,由上可得出三个频率参数fB、和Jf 的近似关系 fa>fr>fB
7 （3）最高振荡频率 f max ： 晶体管的功率增益 =1时的工作频率称为最高振 荡频率 f max 。 GP b b b e b c m r C C g f ' ' ' max 2 4 1 max f T f f （4） 截止频率 f ， f 和 f T 的关系： 晶体管的共基极电流放大系数是 ： 其中 是低频时共基极短路电流放大系数， 是 下降到 时的频率。可推出： f f + j = 1 0 0 f / 2 0 f f T = 0 f f T f 0 f f f T 因为 <1，由上可得出三个频率参数 、 和 的近似关系： 最高， 次之， 最低
33高频小信号宽带放大器 33.1双极型晶体管共发射放大电路的高频特性 b bc C R+ n R be R。R e be R L R L R.∥ 根据密勒定理,可将b 跨接电容Cb用并接在 R+ 输入和输出端的两个 电容C,和C,代替。 D be O ebe gm be L 8
8 3.3 高频小信号宽带放大器 3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性 ' bb r b e r ' b e C ' b c C ' ce r Vo Vs b e V ' b ' b e c m b e Rs g V ' c RL R ' bb r b e r ' b e C ' Vo Vs b e V ' b ' b e c m b e g V ' Rs ' RL C1 C2 b c C ' C1 C2 Vs s R B R C1 C R VCC VBB RL L L C ce R R // R // r ' = 根据密勒定理，可将 跨接电容 用并接在 输入和输出端的两个 电容 和 代替
通常gnR,>>1,它们为 b C R RO bc 2 L 由于C2≈Cb很小,其容抗 与R相比较,可忽略不计。 等效输入电容为:Cn=C1+C≈Cb2(1+gmR) b'e 应用式f≈8m-,得到: be Cin aChe(1+Orr, Che=dChe D=(1+OR CK) 式中D称为密勒效应D因子。 可求得共发放大器源电压增益Oh= 的高频边界角频率为: R。DC,R 9
9 ' gm RL m L b c C g R C ' ' 1 b c C2 C ' 通 常 >>1，它们为： 由于 很小，其容抗 与 相比较，可忽略不计。 b c C2 C ' ' RL (1 ) ' ' ' 1 ' ' m L b e b c i n b e b e g R C C 等效输入电容为： C = C +C C + 应用式 ，得到： b e m T C g f 2 ' Ci n Cb e T RL Cb'c DCb'e ' ' (1+ ) = 式中D称为密勒效应D因子。 (1 ' ) ' T L b c D = + R C 可求得共发放大器源电压增益 的高频边界角频率为： ' ' ' 1 1 i n S b e S h C R DC R = = Vo c m b e g V ' ' RL ' b Ci n ' Rs ' V s