模电子发术 广州铁路职业技术学院电工电子教研室
第1章半导体元件及其特性 1-1半导体二极管 1-2半导体三极管
第1章 1-1 半导体二极管 1-2 半导体三极管
Q1半导体二极管 ◆PN结的形成与特性 1.PN结的形成 在半导体材料(硅、锗)中掺入不同杂质可以分别形成 N型和P型两种半导体。N型半导体主要依靠自由电子导 电,称自由电子为多数载流子,而空穴数量远少于电子 数量,称空穴为少数载流子。P型半导体主要靠空穴导电 称空穴为多数载流子,而自由电子远少于空穴的数量, 称自由电子为少数载流子
1-1 半导体二极管 1．PN 在半导体材料(硅、锗)中掺入不同杂质可以分别形成 N型和P型两种半导体。N型半导体主要依靠自由电子导 电，称自由电子为多数载流子，而空穴数量远少于电子 数量，称空穴为少数载流子。P型半导体主要靠空穴导电， 称空穴为多数载流子，而自由电子远少于空穴的数量， 称自由电子为少数载流子。 PN结的形成与特性
当P型半导体和N型半导体接触以后,由于交界两 侧半导体类型不同,存在电子和空穴的浓度差。这样, P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,如图 1.1.1(a)所示。由于扩散运动,在P区和N区的接触面 就产生正负离子层。N区失掉电子产生正离子,P区得 到电子产生负离子。通常称这个正负离子层为PN结。 在PN结的P区一侧带负电,N区一侧带正电 PN结便产生了内电场,内电场的方向从N区指向P 区。内电场对扩散运动起到阻碍作用,电子和空穴的 扩散运动随着内电场的加强而逐步减弱,直至停止。 在界面处形成稳定的空间电荷区
当P型半导体和N型半导体接触以后，由于交界两 侧半导体类型不同，存在电子和空穴的浓度差。这样， P 区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散, 如图 1.1.1(a)所示。由于扩散运动， 在P 区和N区的接触面 就产生正负离子层。N区失掉电子产生正离子，P区得 到电子产生负离子。通常称这个正负离子层为PN结。 在ＰＮ结的Ｐ区一侧带负电，Ｎ区一侧带正电。 ＰＮ结便产生了内电场，内电场的方向从Ｎ区指向Ｐ 区。内电场对扩散运动起到阻碍作用， 电子和空穴的 扩散运动随着内电场的加强而逐步减弱，直至停止。 在界面处形成稳定的空间电荷区
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