图821开关型集成霍尔传感器的典型电路 Is↑→u4→1s4→us4→hsf→lst 最终使得v饱和V4截止。此时,V的集电极处于高电位,U4E,V5截止,V6、V均截止, 输出为高电平 当磁感应强度B不为0时,霍尔元件有U输出。若集成霍尔传感器处于正向磁场,则 升高,U1下降,使V1的基极电位升高,V2的基极电位下降。于是,V1的集电极输出电压U3 下降,V2的集电极输出电压V4升高。当U13=U2+0.6V时,V3由饱和进入放大状态,经过下面 的正反馈过程:
UH2 UH1 Ub3 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 Ub4 Ue3 Uc4 Ic4 Ic2 Ib3 Ic1 Ue4 Ic3 1 2 3 4 (E) 图8.2.1 开关型集成霍尔传感器的典型电路 最终使得V3饱和V4截止。此时，V4的集电极处于高电位，Uc4≈E，V5截止，V6、V7均截止， 输出为高电平。 当磁感应强度B不为0时，霍尔元件有UH输出。若集成霍尔传感器处于正向磁场，则UH1 升高，UH2下降，使V1的基极电位升高，V2的基极电位下降。于是，V1的集电极输出电压Ub3 下降，V2的集电极输出电压Vb4升高。当Ub3=Ue3+0.6V时，V3由饱和进入放大状态，经过下面 的正反馈过程：
Ub3↓→3↓→Ub4→4↑→Ue31 最终使得ν3截止V饱和。此时,V的集电极处于低电位。于是,v导通,由v和v组成的 PNP和NPN型三极管的复合管,足以使V、V进入饱和状态。输出由原来的高电平U转 换成低电平Un 当正向磁场退出时,随着作用于霍尔元件上磁感应强度B的减少,U相应减小。U2升高, Uk下降。当Ub=Uad0.5V,v由截止进入放大状态,经过下面正反馈过程: 21→la↑→Uc→Ue3 最终又使得V饱和,V截止。V的集电极处于高电位,恢复初始状态,VV截止,输出 又转换成高电平UoH 集成霍尔传感器的输出电平与磁场B之间的关系见图8,2,2,可以看出,集成霍尔传感 器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应,这是由于v、V共用射极电阻 的正反馈作用使它们的饱和电流不相等引起的。其回差宽度△B为 △B=B(HL).B(4+H) 开关型集成霍尔传感器的这一特性,正是我们所需要的,它大大增强了开关电路的抗干扰 能力,保证开关动作稳定,不产生振荡现象。国产CS型集成霍尔传感器的磁电特性如下: 回差宽度典型值6×10T。电源电压CS837、CS683710vCS839、CS683918V)。低电平输 出电压U均为04V,高电平输出最大漏电流为10uA,高电平电源电流cCS837、 CS6837为6mA(CS839、CS6839为7mA),低电平电源电流cCS837、CS6837为9mA (CS839、CS6839为7mA)
Ub3↓→I c3↓→Ub4↑→I c4↑→Ue3↑ 最终使得V3截止V4饱和。此时，V4的集电极处于低电位。于是，V5导通，由V5和V6组成的 P.N.P和N.P.N型三极管的复合管，足以使V7、V8进入饱和状态。输出由原来的高电平UoH转 换成低电平U0L。 当正向磁场退出时，随着作用于霍尔元件上磁感应强度B的减少，UH相应减小。Ub3升高， Ub4下降。当Ub3= Ue4+0.5V，V3由截止进入放大状态，经过下面正反馈过程： Ub3↑→ I c3↑→Ub4↓→I c4↓→Ue3↓ 最终又使得V3饱和，V4截止。V4的集电极处于高电位，恢复初始状态，V7、V8截止，输出 又转换成高电平UoH。 集成霍尔传感器的输出电平与磁场B之间的关系见图8.2.2，可以看出，集成霍尔传感 器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应，这是由于V3、V4共用射极电阻 的正反馈作用使它们的饱和电流不相等引起的。其回差宽度ΔB为 ΔB=B(H→L).B(L→H) 开关型集成霍尔传感器的这一特性，正是我们所需要的，它大大增强了开关电路的抗干扰 能力，保证开关动作稳定，不产生振荡现象。国产CS型集成霍尔传感器的磁电特性如下： 回差宽度典型值6×10.3T。电源电压CS837、CS6837 10V(CS839、CS6839 18V)。低电平输 出电压U0L均为0.4V，高电平输出最大漏电流为10μA，高电平电源电流ICCH CS837、 CS6837为6mA(CS839、CS6839为 7mA)，低电平电源电流ICCL CS837、CS6837为9mA (CS839、CS6839 为7mA)