Cz法晶体生长中的流动与传热

本文针对Cz法晶体生长特点,通过数值模拟的方法,对Cz法生长砷化镓单晶时从引晶、放肩、等径至收尾这一完整工艺过程中晶体的温度场、熔体的温度场和速度场进行了计算,从中分析籽晶和坩埚的转向、转速等因素对流动和传热的影响,并与实际的砷化镓单晶生长过程进行比较,从比较结果看,二者基本吻合。
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