国 电子散射 e 2日散射线与入射线之间夹角 2 Scattered spherical 偏振因子 wave Ansme? Incident wave X射线受到电子散射后，其强度 在空间是有方向性的。 材料科学与工程学院 6 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 电子散射 2 0 2 4 mc e re 6 2 1 cos 2 2 2 0 R r I I e e 偏振因子 2θ——散射线与入射线之间夹角 X射线受到电子散射后，其强度 在空间是有方向性的
图 原子散射 原子散射因子：∫= A ·f随sinn增大而减小 R> 原子中电子间距小于射线半波 长W2,散射波之间周相差小 于T,即任何位置都不会出现 散射波振幅完全抵消 材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 原子散射 • 原子散射因子： 7 L1 L2 R1 R2 R3 R4 A B 原子中电子间距小于射线半波 长λ/2，散射波之间周相差小 于π，即任何位置都不会出现 散射波振幅完全抵消 • f 随sin/ 增大而减小 e a A A f
图 结构振幅 -2f,e 2 A j=1 一个晶胞散射振幅Ac,即晶胞中全部电子相干散射 合成波振幅，与一个电子散射波振幅A。之比值 材料科学与工程学院 8 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 结构振幅 8 • 一个晶胞散射振幅 Ac，即晶胞中全部电子相干散射 合成波振幅，与一个电子散射波振幅 Ae之比值. n j i j e c hkl j f e A A F 1 rj
© 结构振幅 ->fe 衍射条件 j=1 (S-So)IA=9nkI =ha+kb'+lc φ，=(2π/见)5，=2πr,·(S-S)/元 坐标矢量 r-xatyb+zc, F=∑fje2at,,) Fw=∑fcos2π(hx,+内y,+,)+isin2π(hx,+y,+,) 材料科学与工程学院 9 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 结构振幅 9 n j i j e c hkl j f e A A F 1 j 2 j 2 rj S S0 衍射条件 (S-S0 )/λ=ghkl =ha *+kb*+lc * 坐标矢量 rj=xja+yjb+zjc， n j i hx k y lz hkl j j j j F f e 1 2 ( ) n j hkl j j j j j j j F f hx ky lz i hx ky lz 1 cos 2 ( ) sin 2 ( )
® 结构因子(structure factor)Fhk2 FFaw=2( +[∑”，sn2πhx,+y,+,)] 射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射强度/与一 个电子散射强度/。之间关系 I。=F2L。 1Fk2决定晶胞散射强度， 即为结构因子，与原子种类 (、原子位置()、晶胞中原子数()和衍射晶面有关。 材料科学与工程学院 10 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射强度Ic与一 个电子散射强度Ie之间关系 |Fhkl| 2决定晶胞散射强度，即为结构因子，与原子种类 (f i )、原子位置(rj )、晶胞中原子数(n)和衍射晶面有关。 c hkl e I F I 2 2 1 2 1 2 * sin 2 ( ) cos 2 ( ) n j j j j j n j hkl hkl hkl j j j j f hx ky lz F F F f hx ky lz 结构因子(structure factor) Fhkl 2 10