53有机质谱 ÷532有机质谱仪简介 1进样系统 2离子源电子轰击源()、化学电离源(c)、场致电离源 (F)、场解吸电离源(FD)。 3质量分析器 单聚焦质量分析器、 进样系统}-离子源 析器 4检测器 四极滤质器 =真空系统] 数据储存 4检测器 处埋装置 图5-3有机质谱仪方块图 电子倍增器 16
16 5.3 有机质谱 ❖ 5.3.2 有机质谱仪简介 1 进样系统 2 离子源 电子轰击源(EI)、化学电离源(CI)、场致电离源 (FI)、场解吸电离源(FD)。 3 质量分析器 单聚焦质量分析器、 四极滤质器 4 检测器 电子倍增器
53有机质谱 ÷533有机质谱谱图的表示方法 在一般的有机质谱中,为 了能更清楚的表示不同me离子 14eV 的强度,不用质谱峰而用线谱 来表示,这称为质谱棒图(通称 20ev 为质谱图) 质谱图的横坐标是质荷比 60ev m/e,表征碎片离子的质量数, 100 与样品的分子量有关。纵坐标为 图5-4乙酸乙酯在不同电子 离子流强度,通常称为丰度。 轰击能量下的质谱 17
17 5.3 有机质谱 ❖ 5.3.3 有机质谱谱图的表示方法 在一般的有机质谱中，为 了能更清楚的表示不同m/e离子 的强度，不用质谱峰而用线谱 来表示，这称为质谱棒图(通称 为质谱图)。 质谱图的横坐标是质荷比 m/e，表征碎片离子的质量数， 与样品的分子量有关。纵坐标为 离子流强度，通常称为丰度
53有机质谱 533有机质谱谱图的表示方法 丰度的表示方法有两种。常用的方法是把图中最高峰称 为基峰,把它的强度定为100%,其它峰以对基峰的相对百 分值表示,称为相对丰度;也可用绝对丰度来表示,即把各 离子峰强度总和计算为100,再表示出各离子峰在总离子峰 中所占的百分比。谱图中各离子碎片丰度的大小是与分子的 结构有关的,因此可提供有关分子结构类型的信息。 18
18 5.3 有机质谱 ❖ 5.3.3 有机质谱谱图的表示方法 丰度的表示方法有两种。常用的方法是把图中最高峰称 为基峰，把它的强度定为100％，其它峰以对基峰的相对百 分值表示，称为相对丰度；也可用绝对丰度来表示，即把各 离子峰强度总和计算为100，再表示出各离子峰在总离子峰 中所占的百分比。谱图中各离子碎片丰度的大小是与分子的 结构有关的，因此可提供有关分子结构类型的信息
54有机质谱谱图解析 样品在离子源中被打成碎片,要从谱图中碎片的信息, 分析出原样品分子的结构当然不是一件容易的事。在Ms中 分子的碎裂不是任意的。而是遵循一定机制的,因此了解在 质谱中能形成哪几类离子,掌握分子的典型碎裂机制,有助 于解析谱图。真正要掌握谱图的解析,需要依靠在实践中不 断积累经验。 采用不同离子源获得的谱图是不同的,本章只讨论E谱 图,简要介绍谱图解析的一般规律,更详细的内容可参阅有 关质谱分析的专著。 19
19 5.4 有机质谱谱图解析 样品在离子源中被打成碎片，要从谱图中碎片的信息， 分析出原样品分子的结构当然不是一件容易的事。在MS中 分子的碎裂不是任意的。而是遵循一定机制的，因此了解在 质谱中能形成哪几类离子，掌握分子的典型碎裂机制，有助 于解析谱图。真正要掌握谱图的解析，需要依靠在实践中不 断积累经验。 采用不同离子源获得的谱图是不同的，本章只讨论EI谱 图，简要介绍谱图解析的一般规律，更详细的内容可参阅有 关质谱分析的专著
54有机质谱谱图解析 541有机质谱中的离子 1.分子离子 样品分子在高能电子轰击下,丢失一个电子形成的离子 叫分子离子:M+e→M1+2 中性分f 分了离子 由于被打掉一个电子,这种分子离子必定带有未成对电 子,所以是具有奇电子数的游离基,称为奇电子离子(用OE 表示)。 在分子离子中正电荷所处的位置,取决于被打掉的电子。 一般处于分子轨道能级最高,电离电位最低的电子易被打 掉。按电离电位的次序应是σ电子>兀电子>n电子。 20
20 5.4 有机质谱谱图解析 ❖ 5.4.1 有机质谱中的离子 1．分子离子 样品分子在高能电子轰击下，丢失一个电子形成的离子 叫分子离子： 由于被打掉一个电子，这种分子离子必定带有未成对电 子，所以是具有奇电子数的游离基，称为奇电子离子(用 表示)。 在分子离子中正电荷所处的位置，取决于被打掉的电子。 一般处于分子轨道能级最高，电离电位最低的电子易被打 掉。按电离电位的次序应是电子＞电子＞n电子。 • + OE