Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft ttp//www.foxitsoftware.comForevaluation MOS晶体管的结构参数 ■结构参数:沟道的长度(L)、宽度(W)和栅氧化层 的厚度(t。x)直接影响着沟道电流的大小 导通状态的沟道区可以看作是一个电阻 ■沟道的形成和载流子密度受到纵向电场的控制 栅氧化层厚度是由工艺决定的,MOS器件的主要设计参 数就是沟道长度和宽度 PolysilicaTe n Gate oxide Sourc Drain Field-Oxide n士 n上 (SiO2) p substrate Bulk(Body
11 MOS晶体管的结构参数 结构参数：沟道的长度（L）、宽度（W）和栅氧化层 的厚度（tox）直接影响着沟道电流的大小 导通状态的沟道区可以看作是一个电阻 沟道的形成和载流子密度受到纵向电场的控制 栅氧化层厚度是由工艺决定的，MOS器件的主要设计参 数就是沟道长度和宽度 Gate oxide n+ Sourc e Drain p substrate Bulk (Body) Field-Oxide (SiO2 n+ ) Polysilico n Gate L W Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly Oxide MOS的沟道长度 GATE ource/ Drain P-Type Regions Field Oxide 栅长是决定器件尺寸的关键,也是区分不同半导 体加工技术换代的标志,是半导体集成度的标志, 因此也称为关键尺寸( critical dimension) Polysilicon Gate oxide Gate Drain Field-Oxide n n+ L (Sio2) p substrate p+ stopper Bulk(Body)
12 MOS的沟道长度 栅长是决定器件尺寸的关键，也是区分不同半导 体加工技术换代的标志，是半导体集成度的标志， 因此也称为关键尺寸（critical dimension） Gate oxide n+ Source Drain p substrate Bulk (Body) p+ stopper Field-Oxide (SiO2 n+ ) Polysilicon Gate L W Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft ttp//www.foxitsoftware.comForevaluation 沟道长度的计算 Polysilicon gate 由于源漏区加工 过程中掺杂向半ouce Drain 导体表面横向扩 n 散,实际的沟道 Gate-bulk G 长度同设计中图 overlap Top view 形宽度并不相等 Gate oxide n n Cross section
13 沟道长度的计算 由于源漏区加工 过程中掺杂向半 导体表面横向扩 散，实际的沟道 长度同设计中图 形宽度并不相等 tox n+ n+ Cross section L Gate oxide Ld Ld LG Polysilicon gate Top view Gate-bulk overlap Source n+ Drain n+ W Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS的器件宽度 Oxide GATE ource/ Drain P-Type Regions Field Oxide 沟道电流在W×L的沟道区域内,沿着沟道长度的方 向,在源漏端之间流动;沟道长度越小、宽度越大, 电流也越大 沟道长度受到加工工艺的限制,一般取为允许的最小 尺寸,即关键尺寸;而沟道宽度是主要的设计变量 Polysilicon Gate oxide Gate Source Drain Field-Oxide n n (SiO2) p substrate p+ stopper Bulk(Body)
14 MOS的器件宽度 沟道电流在W×L的沟道区域内，沿着沟道长度的方 向，在源漏端之间流动；沟道长度越小、宽度越大， 电流也越大； 沟道长度受到加工工艺的限制，一般取为允许的最小 尺寸，即关键尺寸；而沟道宽度是主要的设计变量 Gate oxide n+ Source Drain p substrate Bulk (Body) p+ stopper Field-Oxide (SiO2 n+ ) Polysilicon Gate L W Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 沟道宽度的计算 Oxide GATE P-Type Field Oxide 对于简单的矩形栅极,沟 道宽度就是有源区的宽度 ■而对于复杂形状的mos器 件,需要根据实际情况确 漏端 漏端 定沟道宽度 源端 漏端 源端
15 沟道宽度的计算 对于简单的矩形栅极，沟 道宽度就是有源区的宽度 而对于复杂形状的mos器 件，需要根据实际情况确 定沟道宽度 源端 漏端 漏端 漏端 源端 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only