北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap3-1 第三章 长沟道MOS器件模型

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集成电路原理与设计 MOS器件 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 长沟道Mos器件模型 >311M0s晶体管阈值电压分析 >312Mos晶体管电流方程 >32.1MoS晶体管的亚阈值电流 >32.2Mos晶体管的瞬态特性 >323MoS器件模型

2 长沟道MOS器件模型  3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析  3.1.2 MOS晶体管电流方程  3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流  3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性  3.2.3 MOS器件模型 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MoS晶体管的结构和原理 MOS晶体管的结构 口多晶硅 D 有源区 金属 Sic S

3 S D G 多晶硅 有源区 金属 W L SiO2 SiO2 n+ n+ S D L p-Si tox xj G MOS晶体管的结构 MOS晶体管的结构和原理 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.comForevaluationonly Gate MOS晶体管工作原理c Source /Drain P-Type //正 源 E。 E 栅 (b) (d) 漏耗尽区

4 MOS晶体管工作原理 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly Gate Oxid 垂直方向能带图 Source/ Dr Ec Ec 24h Ei Ei E F Ey E GS S

5 Ec Ei EF Ev Ec Ei EF Ev 2 VGS = 0 VGS > VT F 垂直方向能带图 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only