Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS:栅极和衬底 GATI Oxide Source/ Drain P-Type Regions ■器件工作过程中,栅极和衬底之间的 电压形成纵向电场,这个电场会在衬 底表面会形成一个导电通道,该沟道G 会连接源端和漏端 MOS的栅极同其他三个电极是绝缘 NMOS with 的,因此MOS也称为绝缘栅场效应 Bulk Contact 晶体管( IGFET) MOS的衬底BULK端是掺杂的半导体, 般接固定的电源和地电压,因此有 时候MOS器件的符号只标出GD-S 三端 6
6 MOS：栅极和衬底 器件工作过程中，栅极和衬底之间的 电压形成纵向电场，这个电场会在衬 底表面会形成一个导电通道，该沟道 会连接源端和漏端 MOS的栅极同其他三个电极是绝缘 的，因此MOS也称为绝缘栅场效应 晶体管（IGFET） MOS的衬底BULK端是掺杂的半导体， 一般接固定的电源和地电压，因此有 时候MOS器件的符号只标出G－D－S 三端 D S G B NMOS with Bulk Contact G S D Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS:源和漏 Source/ Drain P MOS器件的源区和漏区在结构和工艺加工上是完全 相同的,在使用中可以被交换,但是为了分析的方 便还是需要区分 ■源端是载流子流岀的一端(载流子的来源 source), 漏端是载流子流入的一端(载流子在这里消失 drain) ■源漏区是半导体表面高掺杂的区域,作为源漏电极 衬底电极也需要高掺杂的欧姆接触,只是其掺杂极 性同源漏区相反
7 MOS：源和漏 MOS器件的源区和漏区在结构和工艺加工上是完全 相同的，在使用中可以被交换，但是为了分析的方 便还是需要区分 源端是载流子流出的一端（载流子的来源source）， 漏端是载流子流入的一端（载流子在这里消失 drain） 源漏区是半导体表面高掺杂的区域，作为源漏电极 衬底电极也需要高掺杂的欧姆接触，只是其掺杂极 性同源漏区相反 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS:漏,栅,源,衬 Source/ Drain P MOs作为四端器件在漏电压,栅电压,源电压和衬 底电压的作用下工作 栅极的隔离是靠绝缘的栅氧化层,同半导体表面上 的其他三个电极隔开 源极和漏极同衬底接触,源漏和衬底的隔离是靠形 成的反向PN结 源极和漏极之间由两个PN结隔开 因此,在MOS器件的工作过程中需要保持源漏同衬 底之间的PN结0偏或者是反偏
8 MOS：漏，栅，源，衬 MOS作为四端器件在漏电压，栅电压，源电压和衬 底电压的作用下工作 栅极的隔离是靠绝缘的栅氧化层，同半导体表面上 的其他三个电极隔开 源极和漏极同衬底接触，源漏和衬底的隔离是靠形 成的反向PN结 源极和漏极之间由两个PN结隔开 因此，在MOS器件的工作过程中需要保持源漏同衬 底之间的PN结0偏或者是反偏 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS晶体管的基本结构 Oxide GATE ource/ Drain P-Type Regions Field Oxide 在栅电压的控制下,MOS在沟道区形成导电沟 道连接源漏区,因此经常我们关心源漏区和沟 道区的情况 源漏区:主要目的是形成源漏电极,作为开关 的两端 沟道区:器件的主要工作区,沟道的长度(L) 和宽度(W)直接影响着沟道内的电流
9 MOS晶体管的基本结构 在栅电压的控制下，MOS在沟道区形成导电沟 道连接源漏区，因此经常我们关心源漏区和沟 道区的情况 源漏区：主要目的是形成源漏电极，作为开关 的两端 沟道区：器件的主要工作区，沟道的长度（L） 和宽度（W）直接影响着沟道内的电流 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
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