北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap3-2 CMOS工艺——无源器件

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集成电路原理与设计 3.3 无源器件 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly CMOS工艺:无源器件 集成电阻器 集成电容器 集成电路中的互连线

2 CMOS工艺:无源器件  集成电阻器  集成电容器  集成电路中的互连线 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft MOS工艺:n+或p+扩散电阻 金風 二氧化 p 场区氧化 N-we n 衬底 >50-1509/方块 >存在对衬底的寄生电容

3 MOS工艺： n+或p+扩散电阻 50－150Ω/方块 存在对衬底的寄生电容 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft ttp//www.foxitsoftware.comForevaluation MOS工艺:多晶硅电阻 多品砝电限 金風 场区氧化 村底 30-2009/方块

4 MOS工艺：多晶硅电阻 30－200Ω/方块 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft ttp//www.foxitsoftware.comForevaluation MOS工艺:阱电阻 金風 场区氧化 场区氧化 场区氧化 N-we n 底 1-10kg/方块

5 MOS工艺：阱电阻 1－10kΩ/方块 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only