Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly Oxide 0S器件的实际沟道宽度 GATE P-Type Field Oxide 局部氧化 LOCOS工艺 场氧在有源区边缘形成鸟嘴 ■使得实际的沟道宽度有所减小 WA 栅 6
16 MOS器件的实际沟道宽度 局部氧化LOCOS工艺 场氧在有源区边缘形成鸟嘴 使得实际的沟道宽度有所减小 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 2、MOS器件的分类 Gate Source Drain P-Type Regions Oxide 根据参与导电的载流子的类型,MOS器件可以 分为NMOS和PMOS两种 NMOS器件中的载流子是电子,源漏区是n+ 区,衬底是p型 ■PMOS器件中的载流子是空穴,源漏区是p十区, 衬底是n型 为了产生导电沟道,以及源漏pn结隔离,两种 器件的端电压极性相反
17 2、MOS器件的分类 根据参与导电的载流子的类型，MOS器件可以 分为NMOS和PMOS两种 NMOS器件中的载流子是电子，源漏区是n＋ 区，衬底是p型 PMOS器件中的载流子是空穴，源漏区是p＋区， 衬底是n型 为了产生导电沟道，以及源漏pn结隔离，两种 器件的端电压极性相反 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software I//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS器件的分类 Gate GATE Field N十 Source/ Drai Field Oxide 根据工作机制MOS又可以分为增强型和耗尽型 前面我们都是以n沟道增强型mos举例,增强 型器件在栅压小于阈值电压的时候,无法产生 导电沟道 ■耗尽型MOS器件在没有加栅压情况下就有沟道, 需要加栅压才能使得沟道消失
18 MOS器件的分类 根据工作机制MOS又可以分为增强型和耗尽型 前面我们都是以n沟道增强型mos举例，增强 型器件在栅压小于阈值电压的时候，无法产生 导电沟道 耗尽型MOS器件在没有加栅压情况下就有沟道， 需要加栅压才能使得沟道消失 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS Transistors Types and Symbols 实际应用最多的是增强型 的NMoS和PMOS器件 >Mos作为四端器件有 DGSB四个电极 NMOS Enhancement NMOS Depletion >在实际的设计中,同类型 的mos器件的衬底一般接相 同的电位,有时候为了简便,G B 只画出3端,而默认衬底接 电源/地 PMOS Enhancement NMOS with 为了简便,一般以增强型 Bulk Contact NMOs举例
19 MOS Transistors - Types and Symbols D S G D S G G S D D S G NMOS Enhancement NMOS PMOS Depletion Enhancement B NMOS with Bulk Contact 实际应用最多的是增强型 的NMOS和PMOS器件 Mos作为四端器件有 D,G,S,B四个电极 在实际的设计中，同类型 的mos器件的衬底一般接相 同的电位，有时候为了简便， 只画出3端，而默认衬底接 电源/地 为了简便，一般以增强型 NMOS举例 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only