P型半导体结构示意图 空穴是多数载流子 负离子 ⊙GOe 电子是少数载流子
P 型半导体结构示意图 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子
§9.1.3NN结及其单向导电性 漂移运动 P型半导体 内电场EN型半导体 傅傅 空间电荷区 扩散运动内电场阻止扩散 结 ,有利于漂移
P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 空间电荷区 PN结 §9.1.3 PN结及其单向导电性 内电场阻止扩散 ，有利于漂移
PN结的单向导电性1.PN结正向偏置 PN结加正向电压、正向偏置:P区加正、N区加负电压 空间电荷区变窄 P区 N区 O/QO ● 内电场方向 R 内电场被削弱,多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流
1. PN 结正向偏置 _ PN 结加正向电压、正向偏置：P 区加正、N 区加负电压 内电场方向 E R I P 区 N 区 空间电荷区变窄 内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。 二、PN结的单向导电性
2.外加反向电压 多数载流子的扩散运动难于进行 空间电荷区变宽 P区 N区 3② ○②团 内电场方向 R 少数载流子越过PN结 外电场方向 形成很小的反向电流
P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR 2. 外加反向电压 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 少数载流子越过PN结 形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行
伏安特性 I(mA) 80 60 正向 40 204死区 50-25 PN结的单向 击穿电压 00.0.:V()导电性!!! VeRY1-20 反向-40 (A)
伏安特性 PN结的单向 导电性！！！