半导体中两种载流子:o 自由电子和空穴 +4)○ +4 自由电子能导电 空穴能导电 空穴导电的 实质是共价 +4 (+) 键中的束缚 电子依次填 O:电子移动方向 补空穴形成 价电子填补空穴 电流。 空穴移动方向o:i +4 本征半导体的导电能力 取决于载流子的浓度。 外电场方向
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外电场方向 空穴导电的 实质是共价 键中的束缚 电子依次填 补空穴形成 电流。 空穴移动方向 电子移动方向 价电子填补空穴 自由电子能导电 空穴能导电 半导体中两种载流子: 自由电子和空穴 本征半导体的导电能力 取决于载流子的浓度
912N半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体。 P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体
9.1.2 N半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体
1.N型半导体 在硅或锗的晶体中 +4 掺入少量五价元素 正离子 N型半导体中的载流子: 1、自由电子。 +5 +4 多数载流子 ○ 2、空穴。 自由电子 少数载流子 +4)o +4
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1 . N 型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量五价元素 磷原子 +5+4 多余价电子 自由电子 正离子 N 型半导体中的载流子: 1、自由电子。 2、空穴。 多数载流子 少数载流子
N型半导体结构示意图 数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子
N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子
2.P型半导体 +4).oo(+)oo(+)o 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,形成P型半导体 负离子 +4 3)○ P型半导体中的载流子是: O空穴 1、自由电子。 ○填补空位○ 少数载流子 +4 2、空穴。 多数载流子
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素, 形成P 型半导体 +4 +4 硼原子 填补空位 +3 负离子 P 型半导体中的载流子是: 1、自由电子。 2、空穴。 多数载流子 少数载流子