4半导体三极管 放大电路基础≈ 41半导体三极管(BJT) 42共射极放大电路 43图解分析法 44小信号模型分析法 4.5放大电路的工作点稳定问题 4.6共集电极电路和共基极电路 47放大电路的频率响应
4 半导体三极管 及放大电路基础 4.1 半导体三极管（BJT） 4.2 共射极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 放大电路的工作点稳定问题 4.6 共集电极电路和共基极电路 4.7 放大电路的频率响应
41半导体三极管(BJT) 411BJT的结构简介 412BJT的电流分配与放大原理 413BJT的特性曲线 414BJT的主要参数 图411几种BJT的外形
2 图4.1.1 几种BJT的外形 4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
411BJT的结构简介 1、结构和符号 2、工作原理 由结构展开联想 集电极 NN。PNP!3、实现条件 Collector 集电结J0) 外部条件一内部条件 →Jc反偏 基极 结构特点 N →集电区 Base 收集载流子(电子)摻杂浓度低于发射 基区 区且面积大 复合部分电子掺杂浓度远低于发 控制传送比例 射区且很薄 发射区 发射载流子电子)掺杂浓度最高 发射极 Emitter e发射结(l)J正偏
→ Jc反偏 4.1.1 BJT的结构简介 N P N N P N c b e 基区 发射区 集电区 发射极 Emitter 集电极 Collector 基极 Base 1、结构和符号 发射结(Je) 集电结(Jc) c b PNP e c b NPN e 发射载流子(电子) 收集载流子(电子) 复合部分电子 控制传送比例 由结构展开联想… 2、工作原理 3、实现条件 外部条件 内部条件 结构特点： →Je正偏 掺杂浓度最高 掺杂浓度低于发射 区且面积大 掺杂浓度远低于发 射区且很薄
412BJT的电流分配与放大原理 1.内部载流子的传输过程本质:电流分配 2.电流分配关系 发射区发射载流子发射结正偏 3放大作用 4.三极管的三种组态 5.共射极连接方式 集电区收集载流子集电结反偏 基区:传送和控制载流子
4 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 2. 电流分配关系 4. 三极管的三种组态 3. 放大作用 发 射 结 正 偏 发 射 区 发 射 载 流 子 基区：传送和控制载流子 集 电 区 收 集 载 流 子 本质:电流分配 5. 共射极连接方式 集 电 结 反 偏
412BJT的电流分配 与放大原理 IC 1.内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是通过载流 子传输体现出来的。 °lB=- IcBoh I-I+ 本质:电流分配关系 B 外部条件: 发射结正偏,集电结反偏。 l=日+c E+△iE C+△ 放大作用? (原理) EB+△v EB △v △v 关键: +△ B lkQ △iC与△i的关系 WE_放大电路c
5 4.1.2 BJT的电流分配 与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 RL e c b 1k VEE VCC IB IE IC VEB+vEB 放大电路 +iE i i + - vI +iC +iB vO + - io 放大作用？ （原理） 关键： iC与iE的关系 三极管的放大作用是通过载流 子传输体现出来的。 本质：电流分配关系 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏