§92半导体二极管 二极管符号: 、基本结构 PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 点接触型 触丝线 PN结 引线外壳线」(基片 面接触型
一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管符号： §9.2 半导体二极管
伏安特性理想二极管:死区电压0,正向压降=0 导通压降: I/mA 导通压降 I/mA 硅管06-07V 锗管02~03V 反向特性 600 400 正向特性 642 正向特性 100/-50 80-40 0040:8UV 00.40.8U/V 0.1 0.21 反向击 穿特性 02死区电压反向特性 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 1.最大整流电流l OM:最大正向平均电流 2反向工作峰值电压U2n3反向峰值电流l
600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –100 –50 I / mA U / V 正向特性 反向击 穿特性 硅管的伏安特性 反向特性 死区电压 I / mA 0.4 0.8 U / V – 80 – 40 2 4 6 –0.1 –0.2 锗管的伏安特性 正向特性 反向特性 0 二、伏安特性 导通压降: 硅管0.6~0.7V 导通压降: 锗管0.2~0.3V 3. 反向峰值电流IRM 1. 最大整流电流IOM：最大正向平均电流 2. 反向工作峰值电压URWM 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0