5.1.2N沟道耗尽型OSFET 1.结构和工作原理简述(N沟道) 掺杂后具有正 离子的绝缘层 二氧化硅 ☑ 衬底 耗尽层 N型沟道 g B P 6B衬底引线 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 1北医学院生物医学工程
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理简述（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
5.1.2N沟道耗尽型OSFET 2.VI特性曲线及大信号特性方程 ip/mA ip/mA UDS=VGS-VP 可变 电阻区 十一饱和区· 8 8 4V 2V 6 vGs=0V Ipss -2V -4V 2 截止区 3 6 9 12 15 UDS/V -6-4 -2 0 2 UGS/V 五≈s0-) Vr i=loo VGS -1)2 (N沟道增强型) 1北医学院生物医学工程
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 2 (1 ) P GS D DSS V i I v 2 ( 1) T GS D DO V i I v （N沟道增强型）
5.1.3P沟道MOSFET (a) (b) (a)增强型电路符号 (b)耗尽型电路符号 1北医学院生物医学工程
5.1.3 P沟道MOSFET