5.1.1N沟道增强型MOSFET 2.工作原理 ip=0 铝 (1)s对沟道的控制作用 二氧化硅、 当6s≤0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也 无电流产生。 耗尽层 当0<6s〈？时 B衬底引线 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道)，d、s间加电压后，没有电流产生。 VGG =0 当es≥时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 久欧 电压后，将有电流产生。 N 6s越大，导电沟道越厚 耗尽层N型（感生）沟道 P 称为开启电压 6B衬底引线 川北医学院生物医学L框
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS≥VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚
2.工作原理 (2)s对沟道的控制作用 VDD 当6s一定(6s>)时， VGG s↑→，个→沟道电位梯度↑ g 万迅速增大 →靠近漏极d处的电位升高 →电场强度减小→沟道变薄 N N 整个沟道呈楔形分布 ID N型（感生）沟道 可变 饱和区· 电阻区 P Ds≤'Gs-Trl Ds≥T'Gs-'T B A 6B衬底引线 预夹断点 UGS=IGS>I'T 截止区、 UGS<IT 生物医学工程 Ups
2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS iD 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布
2.工作原理 (2)s对沟道的控制作用 当6s一定(6s>)时， GG s个→，个→沟道电位梯度↑ 和 当s增加到使知时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处：6ss= N N 可变 饱和区· 夹断区 电阻区 ps≤'Gs-Trl Ds≥T'Gs-'T B A 预夹断点 UGS=IGS>I'T 。B衬底引线 截止区、 UGS<IT 生物医学工程 Ups
当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS iD 沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT
2.工作原理 (2)s对沟道的控制作用 预夹断后，s个→夹断区延长 VGG 饱 S →沟道电阻个→基本不变 和 ip 可变 饱和区· 电阻区 ps≤T'Gs-T'rlps≥'Gs-TT B N N A 预夹断点 UGS=IGS>IT 夹断区 P B衬底引线 截止区、Gs<TT Ups 北医学院生物医学工程
预夹断后，vDS 夹断区延长 沟道电阻 iD基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用
2.工作原理 (3)s和s同时作用时 hs一定，6s变化时 VGG 饱 给定一个6s,就有一条不 同的，-s曲线。 预夹断临界点轨迹 ip/mA UDs=UGs-VT(UGD=UGS-UDs=VT) N N 8 可变电阻区 7V 饱和区 6V 夹断区 6 B P 5V B衬底引线 4 C 4V D UGS=3 V E 截止区 5 10 15 20 UDs/V 川北医学院生物医学工程
2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不 同的 iD – vDS 曲线