今第五章放大电路的频率响应心 201g4/dB 对数幅频特性: OIfH fH 10fH 0 3dB 20 20dB/十倍频 -40 对数相频特性: 0.1f1f10f 在高频段,0 了f 低通电路产生 5.71° 45/十倍频 -45° 0~90°的滞后 571° 相移。 90° 图51,3(b)低通电路的波特图
图 5.1.3(b) 低通电路的波特图 对数幅频特性： 0.1 fH fH 10 fH f 20lg A u /dB 0 −20 −40 3dB −20dB/十倍频 对数相频特性： fH 10 fH −45º 5.71º 5.71º −45º/十倍频 −90º 0.1 fH 在高频段， 0 f 低通电路产生 0~ 90°的滞后 相移。 第五章
今第五章放大电路的频率响应心 小结 (1)电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数T,即决定了f和f (2)当信号频率等于f或f放大电路的增益下降 3dB,且产生+45或-45相移 (3)近似分析中,可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性
小结 （1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ，即决定了fL和fH。 （2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB，且产生+450或-450相移。 （3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。 第五章
今第五章放大电路的频率响应心 5.2晶体管的高频等效模型 52.1晶体管的混合π模型 完整的混合π模型 b'c ( Cu C gm U.题+c (a)晶体管的结构示意图 (b)混合π模型 图52.1晶体管结构示意图及混合π模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型 一、完整的混合 模型 图 5.2.1晶体管结构示意图及混合 模型 5.2 晶体管的高频等效模型 (a)晶体管的结构示意图 (b)混合 模型 Ube 第五章
今第五章放大电路的频率响应哈 、简化的混合π模型 通常情况下,r远大于c-间所接的负载 电阻,而rb也远大于Cu的容抗,因而可 认为r和r开路。 b a,a小=c 凡 图52.2混合π模型的简化(a)简化的混合π模型
二、简化的混合 模型 通常情况下，rce远大于c--e间所接的负载 电阻，而rb / c也远大于Cμ的容抗，因而可 认为rce和rb / c开路。 (b)混合 模型 Ube 图5.2.2 混合 模型的简化(a)简化的混合 模型 第五章
今第五章放大电路的频率响应哈 跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。 常将等效在输入回路和输出回路,称为单向化。单向 化靠等效变换实现。 因为C>>C,且一般情况下。C"的容抗远大于集电 极总负载电阻R,C.中的电流可忽略不计,得简化模 型图(C)。 Tbb' b um s Do tc fcr b'e'b'e 图522简化混合π模型的简化 图522简化混合π模型的简化 (b)单向化后的混合π模型 (C忽略C//的混合π模型
Cμ跨接在输入与输出回路之间，电路分析变得相当复杂。 常将Cμ等效在输入回路和输出回路，称为单向化。单向 化靠等效变换实现。 图5.2.2 简化混合 模型的简化 (b)单向化后的混合模型 图5.2.2 简化混合 模型的简化 (C) 忽略C／／ μ的混合模型 因为Cπ＞＞ ，且一般情况下。 的容抗远大于集电 极总负载电阻R／ Ｌ， 中的电流可忽略不计，得简化模 型图（C）。 C u // C u // C u // 第五章