3、两种载流子 本征激发产生自由电子，与空穴成对 出现 自由电子与空穴 都是可以移动的 相关 载流子： 自由电子带负电 知识 空穴带正电 金属导体中只有 种载流子 本征正激发产生电子空穴对 电子载流子
相关 知识 3 、两种载流子 本征激发产生自由电子，与空穴成对 出现 自由电子与空穴 都是可以移动的 载流子； 自由电子带负电 空穴带正电 金属导体中只有 一种载流子—— 电子载流子 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 本征激发产生电子空穴对
复合：自由电子在运动中因能量的损 失有可能和空穴相遇，重新被共价健 束缚起来，电子 空穴对消失。 ● ● 一定的温度或 光照下，电子 相关 和空穴的浓度 知识 保持动态平衡。 本征激发产生 的电子空穴对的 ● 数目很少，载流 子浓度很低，因此 ，本征半导体的导 本征激发产生电子空穴对 电能力很弱
相关 知识 复合 ：自由电子在运动中因能量的损 失有可能和空穴相遇，重新被共价健 束缚起来，电子 空穴对消失 。 一定的温度或 光照下，电子 和空穴的浓度 保持动态平衡。 本征激发产生 的电子空穴对的 数目很少，载流 子浓度很低，因此 ，本征半导体的导 电能力很弱。 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 本征激发产生电子空穴对
1.1.4掺杂半导体 1、N型半导体 掺入五价元素 自由电子。 (杂质)→杂 质电离→形成 相关 一个自由电子 正离子 ● 知识 和不能移动的 正离子 】 N型半导体特征： N型半导 多数载流子一 自由电子 体 少数载流子一 空穴
相关 知识 1.1.4 掺杂半导体 1 、 N 型半导体 掺入五价元素 （杂质）→杂 质电离→ 形成 一个自由电子 和不能移动的 正离子 N 型半导体特征： 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 5 N 型半导 体 自由电子 正离子
2、P型半导体 掺入三价元素（杂质） →杂质电离→ 形成一个空穴和不能移动的负离子 P型半导体特征 多数载流子一 相关 一 空穴 ● 知识 少数载流子一 3 自由电子 ●】 P型半导体
相关 知识 2 、 P 型半导体 掺入三价元素（杂质）→杂质电离→ 形成一个空穴和不能移动的负离子 P 型半导体特征： 多数载流子— — 空穴 少数载流子— — 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 P 型半导体
1.2 半导体二极管及其基本特性 1.2.1PN结的形成及特性 PN结的形成 PN结的单向导电性 (1)PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，青 相关 弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍振 知识 弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可 忽略漂移电流的影响，PN 结呈现低阻性。P区的电付 高于N区的电位，称为加 正向电压，简称正偏
相关 知识 1.2 半导体二极管及其基本特性 1.2.1PN 结的形成及特性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 （ 1 ） PN 结加正向电压 外加的正向电压，方向与 PN 结内电场方向相反，削 弱了内电场。于是 , 内电场对多子扩散运动的阻碍减 弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可 忽略漂移电流的影响， PN 结呈现低阻性。 P 区的电位 高于 N 区的电位，称为加 正向电压，简称正偏